Project detail
Synthesis of GaN epitaxial layers by mono-energetic mass selective ion beams of very low energies
Duration: 1.1.1999 — 31.12.2001
Funding resources
Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR - KONTAKT
On the project
Description in English
Synthesis of GaN epitaxial layers by mono-energetic mass selective ion beams of very low energies
Mark
ME 334
Default language
Czech
People responsible
Šikola Tomáš, prof. RNDr., CSc. - principal person responsible
Units
Faculty of Mechanical Engineering
- responsible department (1.1.1989 - not assigned)
Faculty of Mechanical Engineering
- beneficiary (1.1.1999 - 31.12.2001)
Results
VOBORNÝ, S.; MACH, J.; ČECHAL, J.; KOSTELNÍK, P.; TOMANEC, O.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Application of Complex UHV Apparaturus in a Study of Low-tepmerature Gallium-nitride Ultrathin Film Growth. Jemná mechanika a optika, 2004, vol. 9, no. 9, p. 265 ( p.)ISSN: 0447-6441.
Detail
KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; BÁBOR, P.; ŠIKOLA, T. Low energy ion scattering as a method for surface structure analysis. Jemná mechanika a optika, 2004, vol. 9, no. 9, p. 262 ( p.)ISSN: 0447-6441.
Detail
VOBORNÝ, S.; KOLÍBAL, M.; MACH, J.; ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; PRŮŠA, S.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Deposition and in-situ charakterization of ultra-thin films. Thin Solid Films, 2004, vol. 459, no. 1-2, p. 17 ( p.)ISSN: 0040-6090.
Detail
KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; BÁBOR, P.; ŠIKOLA, T. ToF-LEIS Analysis of ultra thin films: Ga and Ga-N layer growth on Si(111). Surface Science, 2004, vol. 566-568, no. 9, p. 885 ( p.)ISSN: 0039-6028.
Detail
BÁBOR, P.; ŠIKOLA, T. Zobrazení iontovým svazkem a 2D SIMS. Jemná mechanika a optika, 2003, roč. 48, č. 6, s. 178 ( s.)ISSN: 0447-6441.
Detail
ŠIKOLA, T. Nanotechnologie - vize či skutečnost?. Československý časopis pro fyziku, 2003, roč. 53, č. 2, s. 70 ( s.)ISSN: 0009-0700.
Detail
TICHOPÁDEK, P., ŠIKOLA, T., NEBOJSA, A., NAVRÁTIL, K., ČECHAL, J., JURKOVIČ, P., BÁBOR, P. A Study of Thin Oxide Films by Ellipsometry and AR XPS. Surface and Interface Analysis, 2002, vol. 34, no. 1, p. 531 ( p.)ISSN: 0142-2421.
Detail
VOBORNÝ, S., MACH, J., KOLÍBAL, M., ČECHAL, J., BÁBOR, P., POTOČEK, M., ŠIKOLA, T. A study of Early Periods of GaN Ultrathin Film Growth. In New Trends in Pysics. Brno: VUT v Brně, 2004. p. 270 ( p.)ISBN: 80-7355-024-5.
Detail
ČECHAL, J.; ŠIKOLA, T. A study of oxygen influence on PtSi formation by SR-PES. In New Trends in Phisics. Brno: VUT v Brně, 2004. p. 218 ( p.)ISBN: 80-7355-024-5.
Detail
KOLÍBAL, M., PRŮŠA, S., BÁBOR, P., BARTOŠÍK, M., TOMANEC, O., ŠIKOLA, T. Growth of gallium on sillicon: A TOF-LEIS and AFM study. In New Trend in Physics. Brno: VUT v Brně, 2004. p. 230 ( p.)ISBN: 80-7355-024-5.
Detail
ŠIKOLA, T. Nanotechnology - vision or reality?. In New Trends in Physics. Brno: VUT v Brně, 2004. p. 262 ( p.)ISBN: 80-7355-024-5.
Detail
BÁBOR, P. Hloubkové profilování a 2D SIMS – současný stav. In Zpravodaj CVS 11(2). Praha: CVS, 2003. s. 23 ( s.)
Detail
BÁBOR, P., KOLÍBAL, M., PRŮŠA, S., ŠIKOLA, T. Application of a simple imaging system in SIMS and TOF LEIS. In ECOSS 22 CD. Praha: FÚ AV ČR, 2003. p. 0 ( p.)
Detail
KOLÍBAL, M., PRŮŠA, S., BÁBOR, P., BAUER, P., ŠIKOLA, T. TOF-LEIS analysis of ultra thin films: Ga- and Ga-N layer growth on Si (111). In ECOSS 22 CD. Praha: FÚ AV ČR, 2003. p. 0 ( p.)
Detail
PRŮŠA, S., KOLÍBAL, M., BÁBOR, P., MACH, J., JURKOVIČ, P., ŠIKOLA, T. Analysis of thin films by TOF LEIS. In EVC'03 Abstracts. Berlin: EVC, 2003. p. 133 ( p.)
Detail
VAIS, J.; ŽENÍŠEK, J.; MRÁZ, M.; DITTRICHOVÁ, L.; SPOUSTA, J.; RAFAJA, D.; ŠIKOLA, T. Deposition of Cobalt Nitride Films by IBAD. In EVC 03 Abstracts. Berlin: EVC, 2003. p. 116 ( p.)
Detail
VOBORNÝ, S., KOLÍBAL, M., MACH, J., ČECHAL, J., BÁBOR, P., PRŮŠA, S., SPOUSTA, J., ŠIKOLA, T. Deposition and in situ characterization of ultra-thin films. In EVC'03 Abstracts. Berlin: EVC, 2003. p. 45 ( p.)
Detail
LENCOVÁ, B. Recent development in methods for electron optical computations. In Microscopy 2001. Barcelona: University of Barcelona, 2001. p. 29 ( p.)
Detail
VOBORNÝ, S., ŠIKOLA, T., PRŮŠA, S., ZLÁMAL, J., BÁBOR, P. Diagnostics and optimization of ion source parameters. In Sborník příspěvků konference Nové trendy ve fyzice. Brno: FEI VUT v Brně, 2001. p. 304 ( p.)ISBN: 80-214-1992-X.
Detail
PRŮŠA, S., ŠIKOLA, T., BÁBOR, P. Application of ToF - LEIS for Analysis of Surfaces and Ultra Thin Films. In Sborník příspěvků konference Nové trendy ve fyzice. Brno: FEI VUT v Brně, 2001. p. 404 ( p.)ISBN: 80-214-1992-X.
Detail
Responsibility: Šikola Tomáš, prof. RNDr., CSc.