Přístupnostní navigace
E-application
Search Search Close
Project detail
Duration: 01.01.2007 — 31.12.2008
Funding resources
Ministerstvo školství, mládeže a tělovýchovy ČR - KONTAKT
- part funder (2007-01-01 - 2008-12-31)
On the project
Cílem projektu je studium fragmentace organosilikonových molekul v FR plazmatu. Kromě experimentální práce budou probíhat ab inition výpočty molekulárních stavů organosilikonů a jejich fragmentů. Výsledky práce budou využity v oblasti plazmochemické depozice tenkých vrstev.
Description in EnglishThe main goal of the project is the study of organosilicone molecules fragmentation in RF plasma. Besides the experimental work the numeric ab initio simulation of the organosilicone molecular states and their fragments will be completed. The results will be used in the field of plasma deposition of thin layers.
Keywordsorganosilikonové molekuly, fragmentace, plasmatická depozice
Key words in Englishorganosilicone molecules, fragmentation, plasma deposition
Mark
2-07-27
Default language
Czech
People responsible
Krčma František, prof. RNDr., Ph.D. - principal person responsible
Units
Faculty of Chemistry- (2007-01-11 - not assigned)
Results
KRČMA, F.; FLAMÍKOVÁ, K.; STUDÝNKA, J. Fragmentation of Tetravinyl Silane in Pulsed RF Discharge. In Proceedings of 17th Symposium on Application of Plasma Processes. Bratislava: UK Bratislava, 2009. p. 285-286. ISBN: 978-80-89186-45-7.Detail
STRUŽÍNSKÝ, O.; SAHÁNKOVÁ, H.; KRČMA, F.; CAYAO, D. Fragmentation of Tetravinylsilane by Electron Impact. ISPC XIX - Book of abstracts. Bochum: UPAC, 2009. p. 317-317.Detail
BRITES, V.; CHAMBAUD, G.; HOCHLAF, M.; KOČIŠEK, J.; CAYAO, D.; MATĚJČÍK, Š.; KRČMA, F. Ionic Chemistry of Tetravinylsilane Cation (TVS+) Formed by Electron Impact: Theory and Experiment. JOURNAL OF PHYSICAL CHEMISTRY A, 2009, vol. 113, no. 23, p. 6531-6536. ISSN: 1089-5639.Detail
STRUŽÍNSKÝ, O.; SAHÁNKOVÁ, H.; KRČMA, F.; CAYAO, D.; MATĚJČÍK, Š. Fragmentation of Tetravinylsilane by Electron Impact. Proceedings of ISPC XIX. Bochum: UPAC, 2009. p. 1850-1 (1850-4 p.)Detail