Product detail
Rychlý budič tranzistorů SiC MOSFET a IGBT
VAŠÍČEK, A. PATOČKA, M.
Product type
funkční vzorek
Abstract
Budič GD001 zajišťuje galvanické oddělení řídicích obvodů od spínacích prvků. Těmi mohou být tranzistory SiC MOSFET (z perspektivního karbidu křemíku), IGBT nebo klasické Si MOSFET. Výstup budiče je dimenzován na špičkový proud až 4A. Galvanické oddělení napájecího napětí budiče zajišťuje rezonanční DC/DC měnič malého výkonu. Na rozdíl od komerčně dostupných budičů umožňuje budič GD001 dosažení podstatně vyšších spínacích kmitočů - až 2 MHz. Velmi malá paraziní vazební kapacita izolační bariéry dále umožňuje dosažení velmi vysoké strmosti změny napětí na izolační bariéře (dU/dt).
Keywords
SiC;MOSFET;IGBT;budič;DC/DC;rezonanční
Create date
15. 11. 2013
Location
SA4.15
Possibilities of use
K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence
Licence fee
Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek
www