Product detail

Přípravek pro měření radiačních změn teplotní závislosti PMOS tranzistorů

HOFMAN, J. HÁZE, J.

Product type

funkční vzorek

Abstract

Byl navržen a realizován prototyp poloautomatického testu radiačních změn (degradací) teplotní závislosti prahového napětí PMOS tranzistorů a byly provedeny prvotní úspěšné experimenty. Zatímco měření charakteristiky PMOS probíhalo plně automaticky, teplota tranzistorů byla řízena manuálně. Podařilo se prokázat, že radiace způsobuje výrazné změny teplotních koeficientů tranzistorů a že tyto změny jsou také silně závislé na napájení tranzistorů během jejich ozařování.

Keywords

tranzistor, MOS, prahové napětí, teplotní závislost, gama záření

Create date

20. 10. 2014

Location

168 Maxwell Avenue, Harwell, Oxfordshire, OX11 0QT, United Kingdom

Possibilities of use

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Licence fee

Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek

www

http://www.umel.feec.vutbr.cz/vyzkum/vysledky/funkcni-vzorky/