Product detail

Testovací prípravok pre analýzu dynamických parametrov GaN tranzistorov.

ŠÍR, M. PROCHÁZKA, P.

Product type

funkční vzorek

Abstract

Meracia aparatúra s kompenzovaným frekvenčným prenosom (šírkou pásma 100MHz) meria napätie medzi Drain-Source testovaného tranzistora 75ns po prepínacom deji (CCM režim). Výsledkom fuknčného vzorku je potvrdenie existencie Dynamického RdsON na dostupných vzorkách GaN tranzistoroch od rôznych výrobcov. Uvedená vlastnosť súvisí s technologickými problémami pri výrobe GaN tranzistorov.

Keywords

GaN, Mosfet, Dynamický RdsON, GaN polomost

Create date

31. 8. 2017

Location

Oddelenie výskumu a vývoja spoločnosti Bel Power Solutions.

Possibilities of use

Využití výsledku jiným subjektem je v některých případech možné bez nabytí licence

Licence fee

Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek

www

http://www.uvee.feec.vutbr.cz/fvzorky