funkční vzorek

4“ (čtyřpalcová) safírová podložka s mikrokrystalickou vrstvou GaN a stříbrnými nanokrystaly, které mají plazmonickou resonanci ve viditelné oblasti, poblíž UV. Postup přípravy GaN vrstvy: 1. Ohřev safírové podložky na T = 800 °C po dobu 60 min., stabilizace teploty, 2. ochlazování podložky na nukleační teplotu 650 °C, 3. nukleace vrstvy po dobu 3 min., 4. ohřev na depoziční teplotu, 5. první část depozice vrstvy GaN z TMGa (trimetylgallium, tok 50 sccm) a NH3 (amoniak, tok 3000 sccm) při tlaku v depoziční komoře 150 Torr a teplotě podložky 810 °C, doba depozice 30 min, 6. druhá část depozice (tok TMGa 35 sccm, tok amoniaku 3600 sccm), při tlaku 120 Torr a teplotě podložky 830 °C, doba depozice 30 min., 7. řízené ochlazování v dusíkové atmosféře 60 min. Jako plazmonické struktury byly použity stříbrné koloidní nanočástice o velikosti 40 a 80 nm. Pro depozici stříbra byl roztok modifikován 3mM roztokem HCl (kvůli změně Zeta potenciálu GaN) a depozice z roztoku trvala 15 minut. Vzorek vykazuje fotoluminiscenci odpovídající velikosti zakázaného pásu GaN (3,4 eV/365 nm), difrakční spektrum odpovídá polykrystalické vrstvě s preferenční orientací.

Nitrid gallia; plazmonická rezonance; stříbrné nanočástice

18. 12. 2019

Laboratoř povrchů a tenkých vrstev, Technická 2, A2-518

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

http://surfaces.fme.vutbr.cz/laboratories/developed-instruments/2019-gan/