Patent detail

Способ получения тонких пленок нитрида алюминия в режиме молекулярного наслаивания

RAMAZANOV, S. GAMMATAEV, S. RIZVANOV, I. RAMAZANOV, G. SOBOLA, D.

Patent type

Patent

Abstract

Изобретение относится к области микро- и наноэлектроники, а более конкретно, к технологии получения эпитаксиальных пленок нитрида алюминия, и может быть применено в области акусто- и оптоэлектроники. Способ заключается в формировании слоя AlN методом молекулярного наслаивания на сапфировой подложке при температуре до 260°С при использовании прекурсоров триметилалюминия (Al(CH3)3) как источника атомов алюминия и гидразина (N2H4) или гидразин хлорида (N2H5Cl) в качестве азотсодержащего прекурсора с последующим отжигом полученной структуры в атмосфере молекулярного азота при температуре до 1400°С.

Keywords

нитрид алюминя, тонкая пленка, подложка

Patent number

2018139626/05(065797)

Date of application

11. 11. 2018

Date of registration

2. 2. 2020

Owner

SICLAB Limited Liability Company, Makhachkala, st. M. Yaragskogo 75, Dagestan Republic, 367000, Russia

Possibilities of use

In order to use the result by another entity, it is always necessary to acquire a license

Licence fee

The licensor requires a license fee for the result