Publication detail

Simulace jevů krátkého kanálu

RECMAN Milan

Original Title

Simulace jevů krátkého kanálu

English Title

Short-channel effects simulation

Type

conference paper

Language

Czech

Original Abstract

Prahové napětí tranzistorů MOSFET s krátkým kanálem se zmenšuje jestliže zvětšujeme napětí kolektoru a tento jev krátkého kanálu označujeme jako DIBL (Drain Induced Barrier Lowering). Příspěvek se zabývá TCAD (Technology Computer Aided Design) simulací tohoto jevu. Je popsán postup pro určení redukce prahového napětí a pro zvětšení podprahového proudu vyvolaných DIBL. Tento postup zahrnuje celkem 5 experímentů pro 5 vybraných hodnot předpětí kolektoru a jednotlivý experiment zahrnuje generaci struktury programem MDRAW, simulaci struktury programem DESSIS a extrakci elektrických charakteristik programem INSPECT. Všechny experimenty jsou prováděny v grafickém prostředí GENESISE.

English abstract

For short channel MOSFETs, the threshold voltage is reduced if the drain bias is increased and this short-channel effect (SCE) is known as drain-induced barrier lowering (DIBL). The contribution deals with TCAD simulation of DIBL. The method to extract the threshold voltage reduction and the subthreshold current increase due to DIBL is described. The experiment contains five different NMOSFET device simulations in order to illustrate drain-induced barrier lowering. The simulations are run under GENESISe. The tool flow starts with the device editor MDRAW followed by device simulator DESSIS and visualization and extraction tool INSPECT.

Keywords

Strukturní simulace, Elektrická simulace, Identifikace parametrů, Modelování polovodičových struktur, Extrakce parametrů, 2D, Prahové napětí, Podprahový proud, Jevy krátkého kanálu.

Key words in English

Device simulation, Electrical simulation, Parameter extraction, Device modeling, Curve fitting, Device optimization. 2D, Threshold voltage, Drain-induced barrier lowering.

Authors

RECMAN Milan

RIV year

2006

Released

1. 1. 2006

Publisher

Nakl. Novotný

Location

Brno

ISBN

80-214-3342-6

Book

Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích

Pages from

98

Pages to

101

Pages count

4

BibTex

@inproceedings{BUT24699,
  author="Milan {Recman}",
  title="Simulace jevů krátkého kanálu",
  booktitle="Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích",
  year="2006",
  pages="4",
  publisher="Nakl. Novotný",
  address="Brno",
  isbn="80-214-3342-6"
}