Citlivostní analýza tranzistoru NMOS

Sensitivity analysis of NMOS transistor

conference paper

Czech

Je popsáno využití systému ISE TCAD pro zjištění jak změny základních parametrů technologického procesu ovlivňují změnu prahového napětí NMOS tranzistoru. Je aplikována nízkopříkonová technologie CMOS s délkou hradla 0.15 µm. Struktura NMOS tranzistoru je generována s využitím programů DIOS a MDRAW. Program DESSIS simuluje strukturu a generuje elektrické charakteristiky, ze kterých program INSPECT extrahuje prahové napětí. Program OPTIMISE generuje příslušné simulační experimenty a počítá citlivost prahového napětí vzhledem k jednotlivým zvoleným parametrům technologického procesu.

The example of using ISE TCAD package to analyze how the variability of process parameters may affect the variability of the threshold voltage simulation response is presented. The real 0.15 µm CMOS technology for low-power application is used. The NMOS transistor structure is generated using ISE TCAD tools DIOS and MDRAW. DESSIS and INSPECT are used to generate device output electrical characteristics and extract analyzed responses. OPTIMISE generates relevant TCAD experiments and calculates sensitivities of threshold voltage to individual process parameters selected.

Strukturní simulace, Elektrická simulace, Extrakce parametrů, Modelování struktury, Optimalizace struktury, Optimalizace procesu, 2D, Automatická generace sítě, Citlivostní analýza.

Device simulation, Electrical simulation, Parameter extraction, Device modeling, Curve fitting, Device optimization, Process simulation, 2D, Automatic grid generation, Sensitivity analysis.

RECMAN Milan

2006

1. 1. 2006

Nakl. Novotný

Brno

80-214-3342-6

Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích

106

109

4