Skenování materiálů lokální optickou sondou v blízkém poli

Near-field local optical probe sample scanning

conference paper

Czech

V článku je popsán základní princip a možnosti mikroskopie se skenující lokální optickou sondou v blízkém poli. Je ukázáno spektrum fotoluminiscence kvantových teček InAs/GaAs, topografie a lokální odrazivost povrchu téhož vzorku. Vzhledem ke stejnému místu na povrchu vzorku při pořízení snímku topografie a lokální odrazivosti lze pozorovat korelaci mezi zmíněnými obrázky. Dále je předvedeno možné schéma mikroskopu pro měření lokální fotoluminiscence s detekcí ve vzdáleném poli. Spektrum generované fotoluminiscence vzorku kvantových teček při buzení zeleným laserovým světlem o vlnové délce lambda= 488 nm je dominantní na vlnové délce 1325 nm při teplotě okolí 300 K.

In this paper is described principle of near-field optical scanning microscope and using potentials for nondestructive testing. There is shown topography image, photoluminescence spectrum and local reflectance image of InAs/GaAs quantum dots sample. It is possible to see correlation between topography image and local reflectance image, because both image are taken from the same location of the sample surface. Detection of local photoluminescence is possible in far-field as is shown in idea scheme. Spectrum of quantum dots generated photoluminescence excited by green laser (lambda = 488 nm) has dominant wavelength 1325 nm (ambient temperature 300 K).

SNOM, mikroskopie, fotoluminiscence

SNOM, microscopy, photoluminescence

ŠKARVADA, P.; TOMÁNEK, P.; MACKŮ, R.

2007

29. 11. 2007

Brno University of Technology

Brno

978-80-7204-549-5

5th Workshop NDT 2007. Non-destructive testing in engineering practice

1

150

154

4