Publication result detail

RTS šum v tranzistorech MOSFET

PAVELKA, J.; ŠIKULA, J.; TACANO, M.; TOITA, M.

Original Title

RTS šum v tranzistorech MOSFET

English Title

RTS noise in MOSFETs

Type

Peer-reviewed article not indexed in WoS or Scopus

Original Abstract

Nízkofrekvenční šum v tranzistorech MOSFET je dán především složkami se spektrem typu 1/f a šumem RTS (random telegraph signal), vznikajícím v důsledku zachycování a uvolňování nosičů náboje na pastech v blízkosti kanálu. Článek podává souhrn experimentálních výsledků o závislosti amplitudy RTS šumu a střední doby zachycení a emise na aplikovaném napětí a teplotě, na jejich základě lze pak stanovit některé charakteristiky pastí, jako aktivační energii nebo polohu v kanálu.

English abstract

Low-frequency noise in MOSFETs is given mainly by 1/f-like noise and RTS (random telegraph signal) noise components, generated by charge carriers capture and emission by traps near channel. In this paper experimental results on RTS noise amplitude and mean capture and emission times are analysed as a function of applied bias and temperature and traps characteristics, such as activation energy and their position in channel are estimated.

Keywords

RTS šum, 1/f šum, MOSFET, pasti

Key words in English

RTS noise, 1/f noise, MOSFET, traps

Authors

PAVELKA, J.; ŠIKULA, J.; TACANO, M.; TOITA, M.

RIV year

2010

Released

02.11.2009

Publisher

FZU AV ČR

Location

Olomouc

ISBN

0447-6441

Periodical

Jemná mechanika a optika

Volume

54

Number

10

State

Czech Republic

Pages from

273

Pages to

277

Pages count

5

BibTex

@article{BUT48028,
  author="Jan {Pavelka} and Josef {Šikula} and Munecazu {Tacano} and Masato {Toita}",
  title="RTS šum v tranzistorech MOSFET",
  journal="Jemná mechanika a optika",
  year="2009",
  volume="54",
  number="10",
  pages="273--277",
  issn="0447-6441"
}