Publication detail

Řízený růst kobaltových ostrůvků na křemíkovém substrátu

ČECHAL, J. POLČÁK, J. TOMANEC, O. ŠIKOLA, T.

Original Title

Řízený růst kobaltových ostrůvků na křemíkovém substrátu

English Title

Guided growth of cobalt islands on silicon substrate.

Type

journal article - other

Language

Czech

Original Abstract

V článku je nastíněn způsob přípravy uspořádaných souborů kobaltových ostrůvků na povrchu oxidu křemičitého. Litografie fokusovaným iontovým svazkem byla použita k vytvoření míst, na kterých dochází k preferenční nukleaci ostrůvků. Tímto způsobem můžeme vytvořit soubory ostrůvků o dané velikosti a poloze.

English abstract

We have presented a straightforward method for fabrication of patterns of cobalt islands. The focussed ion beam lithography has been used to locally modify a native SiO2 layer on a silicon substrate. On the modified areas preferential nucleation of cobalt islands is observed due to a reduced surface diffusion of Co atoms in the vicinity of FIB modified areas. Using this method ordered arrays of islands with given size and positions may be prepared.

Keywords

Tenké vrstvy; Nukleace; Řízený růst; Fokusovaný iontový svazek; SiO2; Kobalt

Key words in English

Thin films; Nucleation; Guided growth; Focussed ion beam SiO2; Cobalt

Authors

ČECHAL, J.; POLČÁK, J.; TOMANEC, O.; ŠIKOLA, T.

RIV year

2009

Released

1. 9. 2009

ISBN

0447-6441

Periodical

Jemná mechanika a optika

Year of study

54

Number

7-8

State

Czech Republic

Pages from

222

Pages to

224

Pages count

3

BibTex

@article{BUT48784,
  author="Jan {Čechal} and Josef {Polčák} and Ondřej {Tomanec} and Tomáš {Šikola}",
  title="Řízený růst kobaltových ostrůvků na křemíkovém substrátu",
  journal="Jemná mechanika a optika",
  year="2009",
  volume="54",
  number="7-8",
  pages="222--224",
  issn="0447-6441"
}