Přístupnostní navigace
E-application
Search Search Close
Publication detail
ČECHAL, J. POLČÁK, J. TOMANEC, O. ŠIKOLA, T.
Original Title
Řízený růst kobaltových ostrůvků na křemíkovém substrátu
English Title
Guided growth of cobalt islands on silicon substrate.
Type
journal article - other
Language
Czech
Original Abstract
V článku je nastíněn způsob přípravy uspořádaných souborů kobaltových ostrůvků na povrchu oxidu křemičitého. Litografie fokusovaným iontovým svazkem byla použita k vytvoření míst, na kterých dochází k preferenční nukleaci ostrůvků. Tímto způsobem můžeme vytvořit soubory ostrůvků o dané velikosti a poloze.
English abstract
We have presented a straightforward method for fabrication of patterns of cobalt islands. The focussed ion beam lithography has been used to locally modify a native SiO2 layer on a silicon substrate. On the modified areas preferential nucleation of cobalt islands is observed due to a reduced surface diffusion of Co atoms in the vicinity of FIB modified areas. Using this method ordered arrays of islands with given size and positions may be prepared.
Keywords
Tenké vrstvy; Nukleace; Řízený růst; Fokusovaný iontový svazek; SiO2; Kobalt
Key words in English
Thin films; Nucleation; Guided growth; Focussed ion beam SiO2; Cobalt
Authors
ČECHAL, J.; POLČÁK, J.; TOMANEC, O.; ŠIKOLA, T.
RIV year
2009
Released
1. 9. 2009
ISBN
0447-6441
Periodical
Jemná mechanika a optika
Year of study
54
Number
7-8
State
Czech Republic
Pages from
222
Pages to
224
Pages count
3
BibTex
@article{BUT48784, author="Jan {Čechal} and Josef {Polčák} and Ondřej {Tomanec} and Tomáš {Šikola}", title="Řízený růst kobaltových ostrůvků na křemíkovém substrátu", journal="Jemná mechanika a optika", year="2009", volume="54", number="7-8", pages="222--224", issn="0447-6441" }