Publication detail

Lokální spektroskopie luminiscence polovodičových struktur

OTEVŘELOVÁ, D.

Original Title

Lokální spektroskopie luminiscence polovodičových struktur

English Title

Local luminescence spectroscopy of semiconductor structures

Type

conference paper

Language

Czech

Original Abstract

Tento článek se zabývá získáním prostorového rozlišení pomocí fotoluminiscence (PL) na vnořených samoorganizovaných kvantových tečkách. Pro rozlišení jednotlivých kvantových teček je použit rastrovací tunelový mikroskop v optickém blízkém poli (SNOM). Takto můžeme získat fotoluminiscenční obrazy skrytých kvantových děr s prostorovým rozlišením lepším než 250 nm. Výsledky jsou nezávislé na použité vlnové délce světelného zdroje. PL intenzita je hlavní složkou pro spojení nepokoveného vláknového hrotu s luminiscenční kvantovou dírou a má exponenciální úbytek se skenovací vzdáleností vzorku. Při vyhodnocování obrazu jsou oddělovány příspěvky PL intenzity blízkého a vzdáleného pole.

English abstract

The paper deals with the spatial resolution of the photoluminescence on the burried quantum dots using SNOM. Due to this device on can obtain a resolution better than 250 nm. The results are wavelenght independent. During the study the contributions of far field and near field PL have been separeted.

Key words in English

local photoluminescence, burried quantum dots, near field optics

Authors

OTEVŘELOVÁ, D.

RIV year

2002

Released

23. 9. 2002

Publisher

Spektroskopická společnost Jana Marca Marci

Location

Praha

ISBN

0009-0700

Periodical

Československý časopis pro fyziku

State

Czech Republic

Pages from

37

Pages to

37

Pages count

1

BibTex

@inproceedings{BUT5023,
  author="Dana {Otevřelová}",
  title="Lokální spektroskopie luminiscence polovodičových struktur",
  booktitle="Metody blízkého pole",
  year="2002",
  journal="Československý časopis pro fyziku",
  pages="1",
  publisher="Spektroskopická společnost Jana Marca Marci",
  address="Praha",
  issn="0009-0700"
}