funkční vzorek

Zařízení SIMS a TOF-LEIS slouží k analýze povrchů a tenkých vrstev. Unikátnost zařízení spočívá především v tom, že kromě standardních způsobů měření umožňuje střídavé profilování metodami SIMS a TOF-LEIS ve stejném místě vzorku. Zařízení využívá k analýze dvou iontových svazků s energiemi v intervalu 0,2 - 5 keV. Složení vrstev v závislosti na hloubce (hloubkový profil) je měřen pomocí iontů odprášených z povrchu pomocí dopadajícího iontového svazku (metoda SIMS). Kromě odprášených iontů jsou k analýze využívány odražené částice od analyzovaného vzorku (metoda TOF-LEIS). Součástí tohoto zařízení je autorský software zajišťující koordinaci obou metod.

Hloubkové profilování, SIMS, TOF, LEIS, tenké vrstvy; in situ analýza

20. 12. 2008

A2/518

Využití výsledku jiným subjektem je možné bez nabytí licence (výsledek není licencován)

Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek

http://www.physics.fme.vutbr.cz/