Přístupnostní navigace
E-application
Search Search Close
Patent detail
KHATEB, F. KHATIB, N.
Patent type
Patent
Abstract
Nová technika pro analogové integrované obvody "Enhanced Floating Gate MOS transistor (EFG-MOST)" používá MOS tranzistor s plovoucím hradlem (Floating gate), kde jsou spojeny substrátové hradlo tranzistoru (bulk vývod) a vstupní plovoucí hradlo. Toto spojení vede ke zvýšení celkové transkonduktance tranzistoru a eliminuje se vliv prahového napětí. EFG-MOST umožňuje navrhovat a vyrábět analogové obvody ve standardní CMOS technologii. Unikátnost této techniky spočívá ve snižování napájecího napětí pod 0,8 V a snížení celkové spotřeby. Tato technika je tedy obzvlášť vhodná pro navrhování integrovaných obvodů pro biomedicínské aplikace, kde je snižování napájecího napětí a celková spotřeba obvodů velmi důležitým požadavkem.
Keywords
MOST s plovoucím hradlem; Substrátem řízený MOST; Návrh nízkonapěťového nízkopříkonového analogového obvodu
Patent number
303698
Date of application
19. 7. 2011
Date of registration
6. 2. 2013
Publisher
Úřad průmyslového vlastnictví (patentový úřad České republiky)
Owner
Vysoké učení technické v Brně Fakulta elektrotechniky a komunikačních technologií, Brno, CZ
Possibilities of use
In order to use the result by another entity, it is always necessary to acquire a license
Licence fee
The licensor does not require a license fee for the result
www
http://spisy.upv.cz/Patents/FullDocuments/303/303698.pdf