Publication detail

Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod

KOKTAVÝ, P. KOKTAVÝ, B.

Original Title

Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod

English Title

Physical Description of Luminescent GaAsP Diodes

Type

conference paper

Language

Czech

Original Abstract

V práci je uveden základní fyzikální popis a technologie přípravy luminiscenčních GaAsP diod s ohledem na využití při studiu lokálních nestabilit v mikroplazmatických oblastech PN přechodu, které vznikají v důsledku nehomogenit PN přechodů.

English abstract

The paper deals basic main description of luminescent GaAsP diodes.

Key words in English

LED diode, PN junction, Microplasma, GaAsP

Authors

KOKTAVÝ, P.; KOKTAVÝ, B.

RIV year

2006

Released

29. 11. 2006

Publisher

Brno University of Technology

Location

Brno

ISBN

80-7204-487-7

Book

Workshop NDT 2006, Non-destructive Testing in Engineering Practise

Pages from

55

Pages to

58

Pages count

4

BibTex

@inproceedings{BUT22101,
  author="Pavel {Koktavý} and Bohumil {Koktavý}",
  title="Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod",
  booktitle="Workshop NDT 2006, Non-destructive Testing in Engineering Practise",
  year="2006",
  pages="55--58",
  publisher="Brno University of Technology",
  address="Brno",
  isbn="80-7204-487-7"
}