SEM a AFM studie morfologie tenkých vrstev tuhého roztoku SiC-AlN

SEM and AFM study of thin film SiC-AlN solid solution morphology

journal article - other

Czech

Cílem této studie bylo jednak vytvoření tenkých vrstev SiC/(SiC)(1-x)(AlN)x sublimační epitaxí polykrystalického zdroje (SiC)(1-x)(AlN)x a jednak jejich charakterizace pomocí skenovací elektronové mikroskopie a mikroskopie atomárních sil. Pro vznik vrstev byly definovány optimální podmínky sublimačního procesu. Vzniklé struktury mohou být použity jako substráty pro polovodičové součástky na bázi nitridů, tj. GaN, AlN a jejich slitin, pro výrobu tranzistorů s vysokou elektronovou mobilitou, či světelných zdrojů (LED a laserových diod) vyzařujících v modré a ultrafialové oblasti spektra. Výsledky analýzy pomocí SEM a AFM ukázaly, že již při teplotě 2300 K je možné pomocí sublimační epitaxe vytvořit tenké vrstvy nitridu hliníku a jeho tuhých roztoků.

The paper bring results of SiC/(SiC)(1-x)(AlN)x thin films manufacturing by sublimation epitaxy of the polycrystalline source of (SiC)1-x(AlN)x. Their characterization by scanning electron microscopy and atomic force microscopy. was also provided, and optimal conditions of sublimation process were defined. These structures could be used as substrate for design of semiconductor devices on the basis of nitrides, including gallium nitride, aluminum nitride and their alloys. The results of SEM and AFM analysis shown, that the temperatures of 2300 K is sufficient to obtain aluminium nitrate thin films and also its solid solutions.

karbid křemíku, nitrid hliníku, epitaxe, SEM, AFM

silicon carbide, aluminum nitride, epitaxy, SEM, AFM

DALLAEVA, D.; TOMÁNEK, P.; BILALOV, B.; KOROSTYLEV, E.

2013

18. 3. 2013

FZÚ AV ČR

Praha

0447-6441

Jemná mechanika a optika

58

3

Czech Republic

75

77

3