Detail předmětu

Microelectronics in English

FEKT-LMENAk. rok: 2011/2012

Čtení matematických symbolů a výrazů. Terminologie základů elektříny, obvodů, polí, signálů, zákonů a teorémů.
Základy fyziky polovodičů, přechod PN. Diody a tranzistory.
Analogové integrované obvody. Digitální integrované obvody.
Polovodičové paměti. Mikroprocesory.
Technologie mikroelektroniky, materiály, struktury.
Současný stav a perspektivy mikroelektroniky.
Mikroelektronická terminologie na konferencích a prezentacích,
v diskuzích, při zkouškách , v publikacích a při psaní zpráv.

Jazyk výuky

angličtina

Počet kreditů

2

Garant předmětu

prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc.

Zajišťuje ústav

Ústav mikroelektroniky (UMEL)

Výsledky učení předmětu

Studenti se základními znalostmi angličtiny získají další znalosti přesné anglické terminologie v elektronice a mikroelektronice potřebné pro pokračování studia v angličtině i pro práci v zahraničí. Kromě odborné terminologie se studenti naučí jednat i v základních situacích univerzitního i pracovního života.

Prerekvizity

Jsou požadovány znalosti na úrovni bakalářského studia.

Plánované vzdělávací činnosti a výukové metody

Metody vyučování závisejí na způsobu výuky a jsou popsány článkem 7 Studijního a zkušebního řádu VUT.

Způsob a kritéria hodnocení

Podmínky pro úspěšné ukončení předmětu stanoví každoročně aktualizovaná vyhláška garanta předmětu.

Učební cíle

Cilem předmětu je odborná jazyková příprava studentů na studium v angličtině a případně i práci v zahraničí s důrazem na odbornou přesnost používaných anglických termínů v elektronice a mikroelektronice. Předmět je určen studentům se základními nalostmi anglické gramatiky a mluvené angličtiny.

Vymezení kontrolované výuky a způsob jejího provádění a formy nahrazování zameškané výuky

Vymezení kontrolované výuky a způsob jejího provádění stanoví každoročně aktualizovaná vyhláška garanta předmětu.

Základní literatura

Boylestad,R.-Nashelsky,L.: Electronic Devices and Circuit Theory, Prentice-Hall Inc, 1992 (EN)

Zařazení předmětu ve studijních plánech

  • Program EEKR-ML magisterský navazující

    obor ML-SVE , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-SVE , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-KAM , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-KAM , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EEN , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EEN , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-TIT , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-TIT , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EVM , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EVM , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EST , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EST , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-MEL , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-MEL , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-BEI , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-BEI , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný

  • Program EEKR-CZV celoživotní vzdělávání (není studentem)

    obor ET-CZV , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný

Typ (způsob) výuky

 

Přednáška

26 hod., nepovinná

Vyučující / Lektor

prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc.

Osnova

Čtení matematických symbolů a výrazů.
Terminologie základů elektřiny, obvodů, polí, signálů, zákonů a teorémů.
Základy fyziky polovodičů, přechod PN.
Pasivní součástky. Diody a tranzistory.
Analogové integrované obvody.
Analogové integrované obvody.
Digitální integrované obvody.
Polovodičové paměti. Mikroprocesory.
Mikroelektronické materiály a struktury.
Výroba integrovaných obvodů
Výroba integrovaných obvodů
Současný stav a perspektivy mikroelektroniky.
Mikroelektronická terminologie na konferencích a prezentacích, v diskuzích, při zkouškách , v publikacích a při psaní zpráv.