Detail předmětu

Principy zařízení pro fyzikální technologie

FSI-TPZ-AAk. rok: 2011/2012

Předmět podává přehled pokročilých technologií zaměřených na depozici tenkých vrstev/multivrstev a povlaků, leptání, legování, žíhání materiálůa a přípravu nanostruktur, zejména v podmínkách vakua. Zaměřuje se především na vysvětlení fyzikálních principů těchto procesů.

Jazyk výuky

angličtina

Počet kreditů

3

Nabízen zahraničním studentům

Všech fakult

Výsledky učení předmětu

Znalosti umožní studentovi lépe se orientovat ve světě moderních technologií, jakož i při výběru a vypracovávání diplomových úkolů a v případném doktorském studiu.

Prerekvizity

Atomová fyzika, fyzika pevných látek, kvantová fyzika, statistická fyzika a termodynamika, vakuová fyzika a technologie.

Plánované vzdělávací činnosti a výukové metody

Metody vyučování závisejí na způsobu výuky a jsou popsány článkem 7 Studijního a zkušebního řádu VUT.

Způsob a kritéria hodnocení

Zápočet je udělen na základě výsledků a kvality práce v hodinách cvičení (individuálně řešené příklady a projekt). Při zkoušce bude zohledněna práce studentů ve cvičení, během písemného testu je možné používat učební texty a pomůcky. Při ústní zkoušce proběhne diskuse o fyzikálních principech vakuových technologií a experimentálních zařízení.

Učební cíle

Poskytuje studentům základní poznatky o moderních metodách příprav tenkých vrstev/multivrstev a jiných současných moderních technologií (např. tvorba nanostruktur).

Vymezení kontrolované výuky a způsob jejího provádění a formy nahrazování zameškané výuky

Přítomnost na cvičení je povinná a je sledována vyučujícím. Způsob nahrazení zmeškané výuky ve cvičení bude stanovena vyučujícím na základě rozsahu a obsahu zmeškané výuky.

Základní literatura

BRODIE, I. - MURAY, J. J.: The Physics of Micro/Nano-Fabrication
CHEN, F. F.: Úvod do fyziky plazmatu
VÁLYI, L.: Atom and Ion Sources

Doporučená literatura

ECKERTOVÁ, L.: Elektronika povrchů
ECKERTOVÁ, L.: Fyzika tenkých vrstev
RIVIERE, J. C.: Surface Analytical Techniques

Zařazení předmětu ve studijních plánech

  • Program B3A-P bakalářský

    obor B-FIN , 3 ročník, letní semestr, povinný

Typ (způsob) výuky

 

Přednáška

26 hod., nepovinná

Vyučující / Lektor

Osnova

Úvod do fyzikálních technologií.
Charakteristika a přehled vybraných fyzikálních technologií. Využití fyzikálních
technologií v průmyslu.
Principy fyzikálních technologií a technologického zařízení. Zdroje elektronů: parametry a výpočet zdrojů elektronů. Zdroje iontů: parametry a výpočet zdrojů iontů. Prvky elektronových a iontových optických systémů. Plazma jako zdroj chemicky aktivních částic. Zdroje fotonů, optické systémy.
Zdroje atomů a molekul. Interakce částic s látkou (elektrony, ionty, fotony, neutrální částice).
Principy růstu vrstev. Fyzikální technologie. Depozice tenkých vrstev a povlaků,tvorba nanostruktur(napařování, CVD, PECVD, naprašování, přímá depozice aj.).
Leptání povrchů, tenkých vrstev a povlaků (chemické leptání, plazmatické a iontové leptání). Epitaxe. Legování (difúze, iontová implantace). 'Promíchávání' atomů iontovými svazky. Žíhání elektronovým a laserovým svazkem. Litografické metody.
Analýza povrchů a tenkých vrstev - přehled. Nové trendy v pokročilých materiálových technologiích.
Použití jednotlivých metod (STM, AFM, TEM, SEM AES, RBS, SIMS, XPS, LEED, RHEED, aj.).

Cvičení

6 hod., povinná

Vyučující / Lektor

Osnova

Kromě počítání teoretických podpůrných příkladů (probíhajících v průběhu celého semestru) studenti pracují na individuálních projektech(výpočetní program SIMION).

Cvičení s počítačovou podporou

7 hod., povinná

Vyučující / Lektor

Osnova

Ve výpočetní laboratoři ÚFI FSI se studenti především seznámí s využitím programu SIMION (aktivně). Navrhnou optické systémy zařízení na bázi iontových a elektronových svazků.