Detail předmětu

Microelectronics in English

FEKT-LMENAk. rok: 2013/2014

Čtení matematických symbolů a výrazů. Terminologie základů elektříny, obvodů, polí, signálů, zákonů a teorémů.
Základy fyziky polovodičů, přechod PN. Diody a tranzistory.
Analogové integrované obvody. Digitální integrované obvody.
Polovodičové paměti. Mikroprocesory.
Technologie mikroelektroniky, materiály, struktury.
Současný stav a perspektivy mikroelektroniky.
Mikroelektronická terminologie na konferencích a prezentacích,
v diskuzích, při zkouškách , v publikacích a při psaní zpráv.

Jazyk výuky

angličtina

Počet kreditů

2

Garant předmětu

prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc.

Zajišťuje ústav

Ústav mikroelektroniky (UMEL)

Výsledky učení předmětu

Studenti se základními znalostmi angličtiny získají další znalosti přesné anglické terminologie v elektronice a mikroelektronice potřebné pro pokračování studia v angličtině i pro práci v zahraničí. Kromě odborné terminologie se studenti naučí jednat i v základních situacích univerzitního i pracovního života.
Absolvent předmětu je schopen:
- vysvětlit základní anglickou terminologie v elektronice a mikroelektronice,
- diskutovat a vysvětlit témata z elektrotechniky (elektrické obvody, elektrický proud, elektrické vodiče) a témata z jeho studijního oboru,
- přečíst či zapsat základní matematické výrazy a úkony (sčítání, odčítání, násobení, dělení, typy závorek, zlomky, desetinná čísla, mocniny, odmocniny, rovnice),
- popsat vlastnosti elektrických zařízení; verbalizovat grafy, tabulky a trendy,
- popsat technické funkce a aplikace produktu a vysvětlit, jak pracují elektronické technologie,
- popsat běžné materiály, sloučeniny a slitiny a popsat jejich vlastnosti,
- popsat vlastnosti elektronických součástek a jejich charakteristické znaky,
- popsat různé typy technických problémů a jejich příčiny,
- diskutovat o technických požadavcích u nově vznikajících výrobků (analýza potřeb v technickém kontextu) a vyhodnocovat proveditelnost navrhovaných řešení,
- řešit základní situace univerzitního i pracovního života.

Prerekvizity

Jsou požadovány znalosti na úrovni středoškolského studia a mírně pokročilá znalost angličtiny.

Plánované vzdělávací činnosti a výukové metody

Metody vyučování závisejí na způsobu výuky a jsou popsány článkem 7 Studijního a zkušebního řádu VUT.

Způsob a kritéria hodnocení

Do 30 bodů za práci v semestru.
Do 70 bodů za zkoušku.

Osnovy výuky

Základní terminologie studia na universitě. Čtení matematických symbolů a výrazů.
Terminologie základů elektrotechniky, obvodů, polí, signálů, zákonů a teorémů.
Základy fyziky polovodičů, přechod PN. Diody a tranzistory.
Analogové integrované obvody. Digitální integrované obvody.
Polovodičové paměti. Mikroprocesory.
Technologie mikroelektroniky, materiály, struktury.
Současný stav a perspektivy mikroelektroniky.
Mikroelektronická terminologie na konferencích a prezentacích,
v diskuzích, při zkouškách , v publikacích a při psaní zpráv.

Učební cíle

Cilem předmětu je odborná jazyková příprava studentů na studium v angličtině a případně i práci v zahraničí s důrazem na odbornou přesnost používaných anglických termínů v elektronice a mikroelektronice. Předmět je určen studentům se základními nalostmi anglické gramatiky a mluvené angličtiny.

Vymezení kontrolované výuky a způsob jejího provádění a formy nahrazování zameškané výuky

Vymezení kontrolované výuky a způsob jejího provádění stanoví každoročně aktualizovaná vyhláška garanta předmětu.

Základní literatura

Boylestad,R.-Nashelsky,L.: Electronic Devices and Circuit Theory, Prentice-Hall Inc, 1992 (EN)

Zařazení předmětu ve studijních plánech

  • Program EEKR-ML magisterský navazující

    obor ML-EVM , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EVM , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-TIT , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-TIT , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-KAM , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-KAM , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-BEI , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-BEI , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-SVE , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-SVE , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EST , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EST , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-MEL , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-MEL , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EEN , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EEN , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný

  • Program EEKR-ML1 magisterský navazující

    obor ML1-EVM , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML1-EVM , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML1-TIT , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML1-TIT , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML1-KAM , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML1-KAM , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML1-BEI , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML1-BEI , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML1-SVE , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML1-SVE , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML1-EST , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML1-EST , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML1-MEL , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML1-MEL , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML1-EEN , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML1-EEN , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný

Typ (způsob) výuky

 

Přednáška

26 hod., nepovinná

Vyučující / Lektor

prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc.

Osnova

Čtení matematických symbolů a výrazů.
Terminologie základů elektřiny, obvodů, polí, signálů, zákonů a teorémů.
Základy fyziky polovodičů, přechod PN.
Pasivní součástky. Diody a tranzistory.
Analogové integrované obvody.
Analogové integrované obvody.
Digitální integrované obvody.
Polovodičové paměti. Mikroprocesory.
Mikroelektronické materiály a struktury.
Výroba integrovaných obvodů
Výroba integrovaných obvodů
Současný stav a perspektivy mikroelektroniky.
Mikroelektronická terminologie na konferencích a prezentacích, v diskuzích, při zkouškách , v publikacích a při psaní zpráv.