Detail předmětu

Fyzikální principy technologie výroby polovodičů

FSI-TP0Ak. rok: 2016/2017

V kurzu je věnována pozornost jednotlivým krokům při výrobě a zpracování polovodičových materiálů. Pozornost je věnována fyzikálnímu a chemickému popisu jednotlivých procesů

Jazyk výuky

čeština

Počet kreditů

2

Garant předmětu

prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.

Zajišťuje ústav

Ústav fyzikálního inženýrství (ÚFI)

Výsledky učení předmětu

Student získá přehled v oblasti technologií v polovodičovém průmyslu a použitých metodách.

Prerekvizity

Fyzika pevných látek, chemie

Plánované vzdělávací činnosti a výukové metody

Předmět je vyučován formou přednášek, které mají charakter výkladu základních principů a teorie dané disciplíny.

Způsob a kritéria hodnocení

Předmět je ukončen kolokviem a závěrečnou samostatnou prácí

Učební cíle

Hlavním cílem kurzu je využitím přednášek odborníků z praxe umožnit studentům
- vyjmenovat a popsat jednotlivé kroky při výrobě a zpracování polovodičových materiálů
- aplikovat základní znalosti fyziky za účelem fyzikální a chemický popis výrobních postupů

Základní literatura

KERN, Werner. /Handbook of Semiconductor Wafer Cleaning Technology:Science, Technology, and Applications/. New Jersey, U.S.A.: Noyes Publications, 1993. 623 s
KITTEL, Charles. /Úvod do fyziky pevných látek : Introduction to solid state physics (Orig.)/. 1. vyd. Praha: Academia, 1985. 598 s
WOLF, Stanley a Richard N. TAUBER. /Silicon Processing for the VLSI Era/. Sunset Beach, California, U.S.A.: Lattice Press, 1999. 960 s. Vol. 1: Process Technology

Zařazení předmětu ve studijních plánech

  • Program B3A-P bakalářský

    obor B-FIN , 3 ročník, zimní semestr, volitelný (nepovinný)

  • Program M2A-P magisterský navazující

    obor M-FIN , 1 ročník, zimní semestr, volitelný (nepovinný)
    obor M-FIN , 2 ročník, zimní semestr, volitelný (nepovinný)

Typ (způsob) výuky

 

Přednáška

39 hod., nepovinná

Vyučující / Lektor

prof. RNDr. Josef Humlíček, CSc.

Osnova

- Přehled technologie výroby Si desek
- Růst monokrystalů křemíku
- Defekty v Si
- Analýza povrchů ve výrobě polovodičů
- Dekontaminace a leštění povrchu Si desek
- Přehled postupu výroby integrovaných obvodů
- Oxidace Si desek a difuze příměsí
- Chemické a plazmochemické depozice vrstev z plynné faze
- Fotolitografie vrstev, leptání SiO2
- Plazmochemické leptání vrstev, depozice kovových vrstev
- Aplikace statistických metod v průmyslu