čeština

Písemnou a ústní zkouškou se ověřuje, že absolvent předmětu je schopen:

Vysvětlit fyzikální podstatu polovodičových materiálů;
Vysvětlit fyzikální podstatu strmého přechodu PN;
Vyjmenovat hlavní parametry přechodu PN a jejich vlastnosti;
Vysvětlit průrazy přechodu PN;
Popsat princip přechodu kov-polovodič a Schottkyho jev;
Vyjmenovat fyzikální mechanismy transportu elektrického náboje přes přechod kov-polovodič;
Popsat rozdíly mezi přechodem PN a přechodem kov-polovodič;
Vyjmenovat druhy heteropřechodů;
Vysvětlit rozdíly mezi strmým a gradovaným heteropřechodem;
Vyjmenovat fyzikální mechanismy transportu elektrického náboje přes přechod;
Vysvětlit pojmy mřížkově přizpůsobený a mřížkově nepřizpůsobený heteropřechod,
Definovat a vysvětlit pojmy koherentně rostlá vrstva a kritická tloušťka vrstvy;
Vysvětlit princip bipolárního tranzistoru;
Popsat složky emitorového, kolektorového a bázového proudu;
Vysvětlit parametry BT v aktivním normálním režimu (injekční účinnost emitoru, činitel
přenosu minoritních nosičů bází);
Definovat proudový zesilovací činitel pro zapojení SB a proudový zesilovací činitel pro zapojení SE;
Popsat činnost BT v režimu vysoké injekce;
Popsat a nakreslit typickou strukturu BT s heteropřechodem EB;
Vysvětlit pojmy: gradovaná báze a kvazielektrické pole u heterotranzistorů;
Popsat rozdíly mezi strmým a gradovaným heteropřechodem;
Nakreslit a popsat strukturu MIS;
Vyjmenovat podmínky pro ideální strukturu MIS;
Nakreslit pásový diagram MIS struktury a vysvětlit pojmy: Fermiho potenciál, Intrinsický
potenciál, Objemový potenciál, Povrchový potenciál;
Popsat vlastnosti oxidové vrstvy struktury MIS;
Nakreslit a popsat strukturu MOSFET;
Vysvětlit význam a princip aproximací: „gradual-channel aproximation“ a „chargé-sheet
approximation“;
Nakreslit a popsat strukturu MOSFET v režimech: lineární, přechod do saturace, saturace;
Vysvětlit pojem “tranzistoru s krátkým kanálem” a “tranzistoru s dlouhým kanálem”;
Popsat fyzikální jevy, které se objevují u tranzistoru s krátkým kanálem;
Nakreslit a popsat rozdíly mezi strukturou tranzistoru s krátkým a dlouhým kanálem;
Vysvětlit princip modelu sdílení náboje (charge sparing model) a jeho význam při snižování
prahového napětí u tranzistoru s krátkým kanálem;
Vysvětlit co znamená snížení potenciálové bariéry vlivem napětí VDS („drain-induced barrier
lowering“, DIBL) a jak tento model vysvětluje snížení prahového napětí u tranzistoru s krátkým kanálem;
Vysvětlit pojem horké elektrony a popsat jevy, které tyto elektrony vyvolávají;
Popsat princip tranzistoru s feromagnetickým hradlem.

Jsou požadovány znalosti na úrovni bakalářského studia.

Metody vyučování zahrnují vzájemně provázané přednášky, numerická cvičení a laboratoře. Předmět využívá e-learning (Moodle).

Podmínky pro úspěšné ukončení předmětu stanoví každoročně aktualizovaná vyhláška garanta předmětu.

1. Přehled fyziky polovodičů.
2. Přechod PN a polovodičové diody.
3. Kontakt kov-polovodič, Schottkyho diody, ohmické kontakty.
4. Heteropřechody a supermřížky.
5. Bipolární tranzistor s homogenními přechody.
6. Bipolární tranzistor s heteropřechody.
7. Struktura MIS.
8. Tranzistor MOSFET, struktury CMOS.
9. Moderní typy tranzistorů FET.
10. Tranzistory HEMT.
11. Elektroluminiscenční a laserové diody.
12. Nové fyzikální jevy a související struktury.
13. Časová rezerva.

Podrobné studium struktur a vlastností mikroelektronických prvků, jejich fyzikálních a obvodových modelů.
Podrobné studium modelů součástek, jejich parametrů a použitelnosti.

Vymezení kontrolované výuky a způsob jejího provádění stanoví každoročně aktualizovaná vyhláška garanta předmětu.

Sze S.M.: Physics of Semiconductor Devices. Wiley, 1981. (EN)