Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail předmětu
FEKT-MPC-VFOAk. rok: 2023/2024
Náplň spočívá v návrhu pasivních a aktivních obvodů z diskrétních prvků se soustředěnými a rozloženými parametry až do GHz frekvencí a v seznámení s principy návrhu vysokofrekvenčních integrovaných obvodů.
Jazyk výuky
Počet kreditů
Garant předmětu
Zajišťuje ústav
Vstupní znalosti
Pravidla hodnocení a ukončení předmětu
Učební cíle
Základní literatura
Elearning
Zařazení předmětu ve studijních plánech
Přednáška
Vyučující / Lektor
Osnova
Organizace, úvod, pasivní filtry se soustředěnými parametryFiltry se soustředěnými parametry a s rozloženými parametryFiltry s krátkými úseky vedení a vázanými koaxiálními rezonátoryFiltry s vázanými rezonátory – ext. přednášejícíLineární zesilovačeZesilovače s vysokou účinnostíRF chip design 1 – Tomáš GötthansRF chip design 2 - Tomáš GötthansNávrh pasivních/nízkopříkonových obvodů na čipu 1 – Roman ŠotnerNávrh pasivních/nízkopříkonových obvodů na čipu 2 – Roman ŠotnerMěření na čipu Samostatné projekty
Laboratorní cvičení
instalace ANSYS HFSSúvodní simulace obvodů se soustředěnými parametrysimulace obvodů se soustředěnými parametrysimulace obvodů se soustředěnými parametrysimulace obvodů s rozprostřenými parametryzesilovač výkonově/šumově přizpůsobenýfiltr se soustředěnými parametryzesilovač výkonově přizpůsobený 1zesilovač výkonově přizpůsobený 2design čipu 1 na učebně T10 N5.18design čipu 2 na učebně T10 N5.18ukázka měření na čipu / doměřování