Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail předmětu
FEKT-MPC-MSIAk. rok: 2024/2025
Předmět je zaměřen na problematiku počítačového modelování a analýzy elektronických obvodů a mikroelektronických struktur. V rámci předmětu je student seznámen s obecnými principy, možnostmi a omezeními počítačové analýzy elektronických obvodů, významem a použitím jednotlivých typů analýz. Praktické zkušenosti s využitím počítačového modelování a simulací získají studenti při vypracování individuálních projektů zaměřených na vytvoření vlastního modelu elektronické součástky, simulací základních parametrů a chování této součástky a prezentaci získaných výsledků.
Jazyk výuky
Počet kreditů
Garant předmětu
Zajišťuje ústav
Vstupní znalosti
Pravidla hodnocení a ukončení předmětu
Učební cíle
Základní literatura
Doporučení literatura
Zařazení předmětu ve studijních plánech
Přednáška
Vyučující / Lektor
Osnova
1. Úvod do problematiky počítačového modelování a simulací elektronických obvodů a mikroelektronických struktur.2. Základní postupy a příkazy3. Zdroje signálů, "AKO" příkazy 4. Stejnosměrné analýzy, teplotní analýza5. Střídavé analýzy, základní kmitočtové a šumové analýzy6. Analýza Monte Carlo, Worst-case, Fourierova analýza7. SPICE modely pasivních součástek (RLC)8. SPICE model diody9. SPICE modely bipolárního tranzistoru: Ebers-Moll, Gummel-Poon, VBIC10. SPICE modely MOSFET: LEVEL1-3, BSIM1-311. SPICE EKV MOSFET model
Cvičení na počítači
Úvodní hodina, seznámení s LTspiceZákladní postupy a příkazy, nastavení simulátoruZdroje signálů, "AKO" příkazy, stejnosměrné analýzy, teplotní analýzaStřídavé analýzy, základní kmitočtové a šumové analýzyAnalýza Monte Carlo, Worst-case, Fourierova analýzaZákladní modelování pasivních součástek (RLC), parametry, extrakce, modelováníZákladní modelování diody, parametry, extrakce, modelováníZákladní modelování bipolárního tranzistoru: Ebers-Moll, Gummel-Poon, parametry, extrakce, modelováníZákladní modelování MOSFET: parametry, extrakcePraktický test