Detail předmětu
Fyzika pevné fáze
FEKT-MPC-FPFAk. rok: 2025/2026
Základní pojmy kvantové a atomové fyziky. Struktura pevných látek. Krystalová mřížka. Pásová teorie pevných látek. Transport elektrického náboje. Elektrony a díry v nerovnovážném stavu. Vybrané polovodičové struktury, zdroje a detektory záření.
Jazyk výuky
Počet kreditů
Garant předmětu
Zajišťuje ústav
Vstupní znalosti
Obecně jsou požadovány znalosti na úrovni bakalářského studia na vysoké škole technického směru. Práce v laboratoři je podmíněna platnou kvalifikací „osoby znalé pro samostatnou činnost“, kterou musí studenti získat před zahájením výuky. Informace k této kvalifikaci jsou uvedeny ve Směrnici děkana Seznámení studentů s bezpečnostními předpisy.
Pravidla hodnocení a ukončení předmětu
- 25 bodů za semestrální práci (řešení zadaných příkladů nebo zpracování zadaného tématu),
- 20 bodů za laboratorní cvičení (6 protokolů),
- 55 bodů za zkoušku (písemná část 35 bodů a ústní část 20 bodů).
Pro postup do ústní části je nutné získat v písemné části alespoň 10 bodů.
Pro úspěšné složení zkoušky je nutné získat z ústní části alespoň 5 bodů.
Zkouška je zaměřena na ověření základních znalostí v oblasti elektrických a optických vlastností pevných látek včetně řešení vybraných příkladů.
Laboratorní výuka je povinná, řádně omluvené zmeškané laboratorní cvičení lze po domluvě s vyučujícím nahradit.
Učební cíle
Cílem je poskytnout studentům přehled vybraných elektrických a optických vlastností pevných látek včetně příkladů širokého spektra zajímavých aplikací. Praktické ověření získaných poznatků proběhne v laboratorním cvičení.
Absolvent předmětu je schopen:
- Vysvětlit rozdíl mezi přístupen klasické a kvantové fyziky – fotoelektrický jev, Comptonův jev
- vysvětlit chování elektronu v potenciálové jámě a na potenciálové bariéře,
- popsat základní nanostruktury a jejich aplikace (kvantové jámy, dráty, tečky, jedno fotonová světlo emitující dioda, jednofotonový detektor),
- popsat základní vlastnosti atomů,
- popsat krystalovou strukturu látek a vysvětlit vznik energetických pásů,
- popsat drift a difuzi v pevných látkách,
- vypočítat pohyblivost nosičů náboje z experimentálně získaných dat
- vypočítat dobu života minoritních nosičů proudu a difuzní délku minoritních nosičů z experimentálně získaných dat,
- aplikovat rovnici kontinuity a Poissonovu rovnici,
- popsat základní typy generačních a rekombinačních procesů v polovodičích,
- popsat vznik a vlastnosti PN přechodu,
- popsat LED diodu a solární článek.
Základní literatura
KITTEL, CH. Introduction to Solid State Physics. 7th ed. Wiley, 1996. (EN)
MIŠEK, J.; KUČERA, L.; KORTÁN, J. Polovodičové zdroje optického záření. SNTL, 1988. (CS)
SEEGER, K. Semiconductor Physics. Springer Verlag, 1997. (EN)
Doporučená literatura
KELLY, M. J.: Low-dimensional Semiconductors. Clarendon Press, 1995. (EN)
Zařazení předmětu ve studijních plánech
- Program MPC-NCP magisterský navazující 1 ročník, letní semestr, povinně volitelný
- Program MPC-AUD magisterský navazující
specializace AUDM-ZVUK , 0 ročník, letní semestr, volitelný
- Program MPC-BIO magisterský navazující 0 ročník, letní semestr, povinně volitelný
- Program MPC-MEL magisterský navazující 1 ročník, letní semestr, povinně volitelný
- Program MPC-SVE magisterský navazující 1 ročník, letní semestr, povinně volitelný
- Program MPC-TIT magisterský navazující 1 ročník, letní semestr, povinně volitelný
Typ (způsob) výuky
Přednáška
Vyučující / Lektor
Osnova
2) Struktura pevných látek. Krystalické látky, krystalová mřížka, krystalografické soustavy, poruchy krystalové mřížky, kmity krystalové mřížky.
3) Pásová teorie pevných látek. Vznik energetických pásů, efektivní hmotnost, rozdělovací funkce, hustota stavů, koncentrace nosičů náboje, Fermiho hladina, kovy, polovodiče, izolanty.
4) Transportní jevy v polovodičích. Boltzmannova transportní rovnice, drift, elektrická vodivost, relaxační doba, rozptylové mechanismy, pohyblivost, Hallův jev, magnetorezistence, termoelektrický jev, Peltierův jev, termomagnetické jevy, difuze.
5) Polovodič v nerovnovážném stavu. Ambipolární pohyblivost, Poissonova rovnice, difúzní délka, generace a rekombinace nosičů, rekombinační centra, pasti, fotoelektrické vlastnosti.
6) Nehomogenní polovodičové systémy. Homogenní a heterogenní přechod, kapacita, VA charakteristika, průrazy, kontakt kov-polovodič.
7) Elektromagnetické vlny v pevných látkách. Vznik a vlastnosti elektromagnetické vlny, interakce s látkou, vlny v krystalech, optické vlastnosti ve vnějším elektrickém a magnetickém poli.
8) Polovodičové zdroje a detektory záření. Zářivá a nezářivá rekombinace, mechanismy vybuzení záření, LED dioda, fotodioda, solární článek, CCD snímač.
9) Lasery. Generace koherentního záření, stimulovaná emise, druhy laserů, plynové, pevnolátkové, polovodičové lasery.
10) Nanostruktury. Kvantové jámy, dráty, tečky, jednofotonová světloemitující dioda, jednofotonový detektor, kvantový počítač.
11) Nelineární optické jevy. Optická vlákna, nelineární prostředí, nelineární jevy druhého a třetího řádu, rozptyl světla.
12) Fotonické krystaly. Princip, vlastnosti, jednorozměrný a dvojrozměrný krystal, poruchy, aplikace.
13) Supravodivost. Vznik supravodivosti, druhy supravodivosti, vysokoteplotní supravodivost, aplikace, Josephsonův jev, kvantový Hallův jev.
Laboratorní cvičení
Vyučující / Lektor
Osnova
1) Měření rezistivity polovodičů
2) Kapacitní charakteristiky polovodičových struktur
3) Comptonů jev – ověření
4) Měření doby života minoritních nosičů
5) Hallův jev
6) Studium fluktuačních procesů v pevných látkách