Detail předmětu

Microelectronics in English

FEKT-LMENAk. rok: 2010/2011

Čtení matematických symbolů a výrazů. Terminologie základů elektrotechniky, obvodů, polí, signálů, zákonů a teorémů.
Základy fyziky polovodičů, přechod PN. Diody a tranzistory.
Analogové integrované obvody. Digitální integrované obvody.
Polovodičové paměti. Mikroprocesory.
Technologie mikroelektroniky, materiály, struktury.
Současný stav a perspektivy mikroelektroniky.
Mikroelektronická terminologie na konferencích a prezentacích,
v diskuzích, při zkouškách , v publikacích a při psaní zpráv.

Jazyk výuky

angličtina

Počet kreditů

Garant předmětu

prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc.

Zajišťuje ústav

Ústav mikroelektroniky (UMEL)

Výsledky učení předmětu

Studenti se základními znalostmi angličtiny získají další znalosti přesné anglické terminologie v elektronice a mikroelektronice potřebné pro pokračování studia v angličtině i pro práci v zahraničí. Kromě odborné terminologie se studenti naučí jednat i v základních situacích univerzitního i pracovního života.

Prerekvizity

Jsou požadovány znalosti na úrovni bakalářského studia.

Plánované vzdělávací činnosti a výukové metody

Metody vyučování závisejí na způsobu výuky a jsou popsány článkem 7 Studijního a zkušebního řádu VUT.

Způsob a kritéria hodnocení

Podmínky pro úspěšné ukončení předmětu stanoví každoročně aktualizovaná vyhláška garanta předmětu.

Učební cíle

Cilem předmětu je odborná jazyková příprava studentů na studium v angličtině a případně i práci v zahraničí s důrazem na odbornou přesnost používaných anglických termínů v elektronice a mikroelektronice. Předmět je určen studentům se základními nalostmi anglické gramatiky a mluvené angličtiny.

Vymezení kontrolované výuky a způsob jejího provádění a formy nahrazování zameškané výuky

Vymezení kontrolované výuky a způsob jejího provádění stanoví každoročně aktualizovaná vyhláška garanta předmětu.

Základní literatura

Boylestad,R.-Nashelsky,L.: Electronic Devices and Circuit Theory, Prentice-Hall Inc, 1992 (EN)

Zařazení předmětu ve studijních plánech

  • Program EEKR-ML magisterský navazující

    obor ML-SVE , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-SVE , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-KAM , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-KAM , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EEN , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EEN , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-TIT , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-TIT , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EVM , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EVM , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EST , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-EST , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-MEL , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-MEL , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-BEI , 2 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný
    obor ML-BEI , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný

  • Program EEKR-CZV celoživotní vzdělávání (není studentem)

    obor ET-CZV , 1 ročník, zimní semestr, volitelný všeobecný

Typ (způsob) výuky

 

Přednáška

26 hod., nepovinná

Vyučující / Lektor

prof. Ing. Jaromír Brzobohatý, CSc.

Osnova

Čtení matematických symbolů a výrazů.
Terminologie základů elektřiny, obvodů, polí, signálů, zákonů a teorémů.
Základy fyziky polovodičů, přechod PN.
Pasivní součástky. Diody a tranzistory.
Analogové integrované obvody.
Analogové integrované obvody.
Digitální integrované obvody.
Polovodičové paměti. Mikroprocesory.
Mikroelektronické materiály a struktury.
Výroba integrovaných obvodů
Výroba integrovaných obvodů
Současný stav a perspektivy mikroelektroniky.
Mikroelektronická terminologie na konferencích a prezentacích, v diskuzích, při zkouškách , v publikacích a při psaní zpráv.