funkční vzorek

Vysokonapěťová N oblast pro integraci řídicí části horního spínače spínaného zdroje topologie Half Bridge. Laterální izolace je tvořena vysokonapěťovým NMOS tranzistorem a je možno ji použít jako bootstrap pro plovoucí N oblast. Součástí N oblasti je i level shifter pro komunikaci mezi nízkonapěťovou a plovoucí vysokonapěťovou oblastí. Cílem struktury je ověřit odolnost plovoucí N oblasti vůči ESD. Struktura je navržena v technologii VHVIC3 firmy ON Semiconductor

poloviční můstek (half bridge), plovoucí N area, ESD

27. 9. 2013

ON Semiconductor SCG Czech Design Center, s.r.o. 1. máje 2594, 756 61 Rožnov p. R. Kontaktní osoba: Ing. Karel Ptáček

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Poskytovatel licence na výsledek nepožaduje licenční poplatek

http://www.umel.feec.vutbr.cz/vyzkum/vysledky/funkcni-vzorky/prokop-half-bridge-driver.pdf