Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
Jiri Hofman
Originální název
A method for measuring the effect of total ionising dose on temperature coefficients of semiconductor devices
Typ
přednáška
Jazyk
angličtina
Originální abstrakt
This work presents a new test method that allows in-situ measurements of radiation-induced changes in temperature coefficients to be made. The preliminary results of a pilot experiment on commercial PMOS transistors and voltage references will be presented and discussed.
Klíčová slova
total ionizing dose, PMOS transistor, voltage reference, temperature coefficient
Autoři
Vydáno
25. 3. 2015
Strany od
1
Strany do
26
Strany počet
BibTex
@misc{BUT114090, author="Jiří {Hofman} and Jiří {Háze} and Richard {Sharp} and Andrew {Holmes-Siedle}", title="A method for measuring the effect of total ionising dose on temperature coefficients of semiconductor devices", year="2015", pages="1--26", note="lecture" }