Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
MOLAS, M. FAUGERAS, C. SLOBODENIUK, A. NOGAJEWSKI, K. BARTOŠ, M. BASKO, D. POTEMSKI, M.
Originální název
Brightening of dark excitons in monolayers of semiconducting transition metal dichalcogenides
Typ
článek v časopise ve Web of Science, Jimp
Jazyk
angličtina
Originální abstrakt
We present low-temperature magneto-photoluminescence experiments which demonstrate the brightening of dark excitons by an in-plane magnetic field B applied to monolayers of different semiconducting transition metal dichalcogenides. For WSe2 and WS2 monolayers, the dark exciton emission is observed at ∼50 meV below the bright exciton peak and displays a characteristic doublet structure whose intensity grows with B2 , while no magnetic field induced emission peaks appear for MoSe2 monolayer. Our experiments also show that the MoS2 monolayer has a dark exciton ground state with a dark-bright exciton splitting energy of ∼100 meV.
Klíčová slova
transition metal dichalcogenides monolayers; tungsten diselenide; tungsten disulfide; molybdenum diselenide; molybdenum disulfide; dark excitons; Voigt configuration
Autoři
MOLAS, M.; FAUGERAS, C.; SLOBODENIUK, A.; NOGAJEWSKI, K.; BARTOŠ, M.; BASKO, D.; POTEMSKI, M.
Vydáno
1. 6. 2017
ISSN
2053-1583
Periodikum
2D Materials
Ročník
4
Číslo
2
Stát
Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Strany od
021003-1
Strany do
021003-6
Strany počet
6