Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
STARÁ, V. PROCHÁZKA, P. MAREČEK, D. ŠIKOLA, T. ČECHAL, J.
Originální název
Ambipolar remote graphene doping by low-energy electron beam irradiation
Typ
článek v časopise ve Web of Science, Jimp
Jazyk
angličtina
Originální abstrakt
We employ low-energy electron beam irradiation to induce both n- and p-doping in a graphene layer. Depending on the applied gate voltage during the irradiation, either n- or p-doping can be achieved, and by setting an appropriate irradiation protocol, any desired doping levels can be achieved
Klíčová slova
Graphene, Field effect transistors, graphene transistors
Autoři
STARÁ, V.; PROCHÁZKA, P.; MAREČEK, D.; ŠIKOLA, T.; ČECHAL, J.
Vydáno
7. 10. 2018
ISSN
2040-3372
Periodikum
Nanoscale
Ročník
10
Číslo
37
Stát
Spojené království Velké Británie a Severního Irska
Strany od
17520
Strany do
17524
Strany počet
5
BibTex
@article{BUT150300, author="Veronika {Stará} and Pavel {Procházka} and David {Mareček} and Tomáš {Šikola} and Jan {Čechal}", title="Ambipolar remote graphene doping by low-energy electron beam irradiation", journal="Nanoscale", year="2018", volume="10", number="37", pages="17520--17524", doi="10.1039/c8nr06483k", issn="2040-3372" }