funkční vzorek

Rezonátory s piezoelektrickými vrstvami na bázi AlN byly vyrobeny pomocí jednoduchého výrobního procesu. Sestávají z nosníků vytvořených pomocí vícevrstvé depozice asistovaným iontovým svazkem. Preferenčně (001) orientované tenké vrstvy AlN mají výjimečně vysoké piezoelektrické koeficienty (7,33 ± 0,08) pC∙N−1. Výroba rezonátorů byla dokončena pomocí pouhých tří litografických kroků, za použití konvenčního křemíkového substrátu s plně kontrolovatelnou tloušťky nosníku, přičemž na konci nosníku bylo implementováno závaží. Vzhledem k tomu, že depozice AlN byla prováděna při teplotě ≈ 330 °C, lze tento proces implementovat do standardní technologie CMOS, stejně tak i do následného zpracování waferu při výrobě MEMS. Výchylky a rezonanční frekvence rezonátorů byly charakterizovány pomocí laserové interferometrie a vibrační stolice. Na Obrázek 1 je zobrazeno schéma v několika pohledech. Na Obrázek 2 je zobrazen výrobní postup pro rezonátory s piezoelektrickými vrstvami na bázi AlN. Na Obrázek 3 pak vyrobené struktury rezonátoru umístěné v pouzdře typu LCC68. Dále na Obrázek 4 je zobrazeno interferenční měření a na Obrázek 5 pak naměřená výchylka při rezonanční frekvenci 2520 Hz pro různé hodnoty VAC.

rezonátor, piezoelektrický jev, AlN

15. 1. 2020

Laboratoř Labsensnano Technická 3058/10, 616 00 Brno

K využití výsledku jiným subjektem je vždy nutné nabytí licence

Poskytovatel licence na výsledek požaduje licenční poplatek

http://webzor.umel.feec.vutbr.cz/LabSensNano/products.aspx?id=147

2020_Rezonátory s piezoelektrickými vrstvami na bázi AlN.pdf