Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
RECMAN M.
Originální název
Identifikace parametrů HSPICE modelů s využitím strukturního simulátoru DESSIS
Anglický název
Typ
článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus
Jazyk
čeština
Originální abstrakt
Příspěvek popisuje propojení strukturního simulátoru DESSIS a elektrického simulátoru HSPICE, které můžeme považovat za průmyslové standardy pro jednotlivé aplikační oblasti. Propojení umožňuje extrahovat parametry HSPICE modelů z elektrických charakteristik simulovaných DESSISem. Jsou popsány jednotlivé programové prostředky systému propojení včetně příslušných formátů dat a navržená metodika je využita pro identifikaci parametrů Gummel-Poonnva modelu bipolárního tranzistoru.
Anglický abstrakt
Klíčová slova v angličtině
device simulation, circuit simulation, model parameter extraction
Autoři
Rok RIV
2005
Vydáno
1. 1. 2005
Nakladatel
Nakl. Novotný
Místo
Brno
ISBN
80-214-3116-4
Kniha
Sborník příspěvků semináře Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích, který se konal ve dnech 12. prosince 2005 na Vysokém učení technickém v Brně
Strany od
58
Strany do
66
Strany počet
9
BibTex
@inproceedings{BUT20418, author="Milan {Recman}", title="Identifikace parametrů HSPICE modelů s využitím strukturního simulátoru DESSIS", booktitle="Sborník příspěvků semináře Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích, který se konal ve dnech 12. prosince 2005 na Vysokém učení technickém v Brně", year="2005", pages="9", publisher="Nakl. Novotný", address="Brno", isbn="80-214-3116-4" }