Detail publikace

Simulace iontové implantace programem DIOS

RECMAN Milan

Originální název

Simulace iontové implantace programem DIOS

Anglický název

DIOS simulation of ion implantation

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

čeština

Originální abstrakt

Je popsáno užití procesního simulátoru DIOS pro srovnání výstupních dat jednotlivých implantací a příslušných teplotních cyklů při realizaci diodové strukury. Postup založen na spojení programů DIOS a TECPLOT-ISE umožňuje vytvořit efektivní prostředek pro srovnání výstupů jednotlivých procesních kroků, jako jsou iontové implantace a další. Popsaný přiklad simulace technologického procesu realizace struktury polovodičové diody srovnává colkovou koncentraci bóru během procesu. Jsou popsány jednotlivé technologické kroky zahrnující vytvoření konečného profilu výsledné koncentrace bóru. Grafický postprocesor TECPLOT-ISE je využit pro zobrazení a srovnání celková koncentrace bóru v jednotlivých krocích technologického procesu.

Anglický abstrakt

The example of using process simulator DIOS to compare data of individual implantation and corresponding temperature annealing steps within diode structure creation is presented. The method based on the DIOS TECPLOT-ISE link enables to form an effective tool to compare data of individual process steps simulations as ion implantations and other. The described example of diode process steps simulation uses this link to compare total boron concentrations throghout the process. The individual DIOS process simulation steps including final boron profile creation are described. TECPLOT-ISE graphical postprocessor is used to display and compare the individual total boron concentrations.

Klíčová slova

Strukturní simulace, Elektrická simulace, Identifikace parametrů, Modelování polovodičových struktur, Optimalizace polovodičových struktur.

Klíčová slova v angličtině

Device simulation, Electrical simulation, Parameter extraction, Device modeling, Curve fitting, Device optimization.

Autoři

RECMAN Milan

Rok RIV

2006

Vydáno

1. 1. 2006

Nakladatel

Nakl. Novotný

Místo

Brno

ISBN

80-214-3342-6

Kniha

Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích

Strany od

102

Strany do

105

Strany počet

4

BibTex

@inproceedings{BUT24700,
  author="Milan {Recman}",
  title="Simulace iontové implantace programem DIOS",
  booktitle="Konference MIKROSYN. Nové trendy v mikroelektronických systémech a nanotechnologiích",
  year="2006",
  pages="4",
  publisher="Nakl. Novotný",
  address="Brno",
  isbn="80-214-3342-6"
}