Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
ČECH, V.
Originální název
Determination of Density of Localized States in a-Si:H from the Time Relaxation of SCL Conductivity
Typ
článek v časopise - ostatní, Jost
Jazyk
angličtina
Originální abstrakt
A new technique is described, which is suitable for the evaluation of the bulk density of localized states in undoped a-Si:H from the timerelaxation of the conductivity limited by the space charge prepared by a previous injection of electrons.
Klíčová slova v angličtině
amorphous silicon, thin film, space-charge-limited currents
Autoři
Rok RIV
2001
Vydáno
1. 1. 2001
ISSN
0031-8965
Periodikum
physica status solidi
Ročník
187
Číslo
2
Stát
Spolková republika Německo
Strany od
487
Strany do
491
Strany počet
5
BibTex
@article{BUT39850, author="Vladimír {Čech}", title="Determination of Density of Localized States in a-Si:H from the Time Relaxation of SCL Conductivity", journal="physica status solidi", year="2001", volume="187", number="2", pages="5", issn="0031-8965" }