Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
DALLAEVA, D. TOMÁNEK, P. RAMAZANOV, S.
Originální název
Scanning tunneling microscopy of high-resistance SiC-AlN solid solutions
Typ
článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus
Jazyk
angličtina
Originální abstrakt
The purpose of the paper is a study of films morphology of silicon carbide and aluminum nitride solid solution. The films were obtained by magnetron sputtering. The described method allows solving a measure foreground task of electronics at nanometer and atomic levels.
Klíčová slova
Silicon carbide, Aluminum nitride, Atomic force microscopy, Scanning tunneling microscopy, Thin film
Autoři
DALLAEVA, D.; TOMÁNEK, P.; RAMAZANOV, S.
Rok RIV
2012
Vydáno
11. 10. 2012
Nakladatel
Vysoke uceni technicke v Brne, Fakulta elektrotechniky a komunikacnich technologii, Ustav fyziky
Místo
Brno
ISBN
978-80-214-4594-9
Kniha
New trends in physics 2012
Strany od
149
Strany do
152
Strany počet
4
BibTex
@inproceedings{BUT94390, author="Dinara {Sobola} and Pavel {Tománek} and Shihgasan {Ramazanov}", title="Scanning tunneling microscopy of high-resistance SiC-AlN solid solutions", booktitle="New trends in physics 2012", year="2012", pages="149--152", publisher="Vysoke uceni technicke v Brne, Fakulta elektrotechniky a komunikacnich technologii, Ustav fyziky", address="Brno", isbn="978-80-214-4594-9" }