Detail publikace

Ion electromigration in CdTe Schottky Metal-Semiconductor-Metal Structure

ELHADIDY, H. GRILL, R. FRANC, J. ŠIK, O. MORAVEC, P. SCHNEEWEISS, O.

Originální název

Ion electromigration in CdTe Schottky Metal-Semiconductor-Metal Structure

Typ

článek v časopise ve Web of Science, Jimp

Jazyk

angličtina

Originální abstrakt

Byly měřeny proudové přechody u struktury Schottkyho struktury kov-polovodič-kov. Vytvořili jsme nový model objas ňující proudový přechod jakožrto důsledek migracie iontových defektů. Byly stanoveny hustoty donorů, akceptorů a difuzní koeficienty iontových příměsí. Model je ověřen měřenním změny odporu materiálu v čase. Byla zaznamenána velmi nízká tendence návratu rezistivity v čase.

Klíčová slova

Cdte, schottky contacts, electromigration

Klíčová slova v angličtině

Cdte, Schottkyho kontakty, elektromigrace

Autoři

ELHADIDY, H.; GRILL, R.; FRANC, J.; ŠIK, O.; MORAVEC, P.; SCHNEEWEISS, O.

Rok RIV

2015

Vydáno

1. 6. 2015

Nakladatel

Elsevier

Místo

Holland

ISSN

0167-2738

Periodikum

SOLID STATE IONICS

Ročník

277

Číslo

27

Stát

Nizozemsko

Strany od

20

Strany do

25

Strany počet

6

URL

http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167273815001836

BibTex

@article{BUT114374,
  author="Hassan {Elhadidy} and Roman {Grill} and Jan {Franc} and Ondřej {Šik} and Pavel {Moravec} and Oldřich {Schneeweiss}",
  title="Ion electromigration in CdTe Schottky Metal-Semiconductor-Metal Structure",
  journal="SOLID STATE IONICS",
  year="2015",
  volume="277",
  number="27",
  pages="20--25",
  doi="10.1016/j.ssi.2015.04.016",
  issn="0167-2738",
  url="http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0167273815001836"
}