Detail publikace

Studium šumu mikroplazmy v GaAsP diodách

P. KOKTAVÝ, B. KOKTAVÝ

Originální název

Studium šumu mikroplazmy v GaAsP diodách

Anglický název

Study of microplasma noise in GaAsP diodes

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

čeština

Originální abstrakt

V současné době je známo, že výskyt oblastí mikroplazmy v PN přechodech v polovodičích je podmíněn nedokonalostmi krystalové mřížky polovodiče. Tyto oblasti se zpravidla vyznačují nižším průrazným napětím pro vznik lavinové ionizace v silných elektrických polích než ostatní homogenní část přechodu. V důsledku existence těchto oblastí může u PN přechodů polarizovaných ve zpětném směru docházet při určitých hodnotách závěrných napětí k lokálním lavinovým průrazům, které se projevují jako šum mikroplazmy. Sledování bistabilního mechanismu vedení proudu lze potom využít k vyhodnocení nehomogenity PN přechodu.

Anglický abstrakt

The paper is intended to show the results of our theoretical as well as experimental studies of the phenomena that occur in consequence of micro-plasma discharges at localized points of PN junctions of reverse biased GaAs0,60P0,40 LEDs, which in turn manifest themselves as bi-stable or multi-stable noise.

Klíčová slova

Microplasma noise, PN Junction, Avalanche, Impact ionization

Autoři

P. KOKTAVÝ, B. KOKTAVÝ

Vydáno

20. 1. 2006

Nakladatel

Vysoké učení technické v Brně

Místo

Brno

ISBN

80-7355-062-8

Kniha

Nové trendy v Mikroelektronických systémech a nanotechnologiích

Strany od

115

Strany do

119

Strany počet

5

BibTex

@inproceedings{BUT20226,
  author="Pavel {Koktavý} and Bohumil {Koktavý}",
  title="Studium šumu mikroplazmy v GaAsP diodách",
  booktitle="Nové trendy v Mikroelektronických systémech a nanotechnologiích",
  year="2006",
  pages="5",
  publisher="Vysoké učení technické v Brně",
  address="Brno",
  isbn="80-7355-062-8"
}