Detail publikace

Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod

KOKTAVÝ, P. KOKTAVÝ, B.

Originální název

Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod

Anglický název

Physical Description of Luminescent GaAsP Diodes

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

čeština

Originální abstrakt

V práci je uveden základní fyzikální popis a technologie přípravy luminiscenčních GaAsP diod s ohledem na využití při studiu lokálních nestabilit v mikroplazmatických oblastech PN přechodu, které vznikají v důsledku nehomogenit PN přechodů.

Anglický abstrakt

The paper deals basic main description of luminescent GaAsP diodes.

Klíčová slova v angličtině

LED diode, PN junction, Microplasma, GaAsP

Autoři

KOKTAVÝ, P.; KOKTAVÝ, B.

Rok RIV

2006

Vydáno

29. 11. 2006

Nakladatel

Brno University of Technology

Místo

Brno

ISBN

80-7204-487-7

Kniha

Workshop NDT 2006, Non-destructive Testing in Engineering Practise

Strany od

55

Strany do

58

Strany počet

4

BibTex

@inproceedings{BUT22101,
  author="Pavel {Koktavý} and Bohumil {Koktavý}",
  title="Fyzikální popis luminiscenčních GaAsP diod",
  booktitle="Workshop NDT 2006, Non-destructive Testing in Engineering Practise",
  year="2006",
  pages="55--58",
  publisher="Brno University of Technology",
  address="Brno",
  isbn="80-7204-487-7"
}