Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
Horák Michal, Hejátková Edita
Originální název
Silicon-germanium heterojunction bipolar transistor: Simulation in Mathematica
Typ
článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus
Jazyk
angličtina
Originální abstrakt
The aim of this paper is to describe the simple simulation program developed for the student computer training in varous courses on semiconductor devices and structures. All calculations and graphical outputs are carried out in Mathematica.
Klíčová slova
SiGe, heterojunction bipolar transistor, simulation
Autoři
Rok RIV
2006
Vydáno
15. 9. 2006
Nakladatel
Ing. Zdeněk Novotný
Místo
Brno
ISBN
80-214-3246-2
Kniha
IMAPS EDS CS International Conference 2006 Proceedings
Strany od
360
Strany do
365
Strany počet
6
BibTex
@inproceedings{BUT24638, author="Michal {Horák} and Edita {Hejátková}", title="Silicon-germanium heterojunction bipolar transistor: Simulation in Mathematica", booktitle="IMAPS EDS CS International Conference 2006 Proceedings", year="2006", pages="6", publisher="Ing. Zdeněk Novotný", address="Brno", isbn="80-214-3246-2" }