Detail publikace

Semiconductor devices simulation using drift diffusion scheme

POKORNÝ, M. RAIDA, Z.

Originální název

Semiconductor devices simulation using drift diffusion scheme

Typ

článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus

Jazyk

angličtina

Originální abstrakt

The paper deals with the numerical modeling of the semiconductor devices. The drift-diffusion macro model of the free carriers transport is discussed and combined with the Poisson equation to evaluation of device features. The thermal phenomenon is considered in correct physical model of the power components. The basic semiconductor equations are summarized, and modeling issues are discussed. The demonstrative simulation of the Gunn diode is performed in COMSOL Multiphysics computation environment using finite element method.

Klíčová slova

Gunn effect, FEM, COMSOL, drift-diffusion scheme, multi-physical model.

Autoři

POKORNÝ, M.; RAIDA, Z.

Rok RIV

2008

Vydáno

25. 8. 2008

Nakladatel

VUT v Brně, FEKT

Místo

Brno

ISBN

978-80-214-3709-8

Kniha

Sborník příspěvků konference ZVŮLE 2008

Strany od

200

Strany do

203

Strany počet

4

BibTex

@inproceedings{BUT27691,
  author="Michal {Pokorný} and Zbyněk {Raida}",
  title="Semiconductor devices simulation using drift diffusion scheme",
  booktitle="Sborník příspěvků konference ZVŮLE 2008",
  year="2008",
  pages="200--203",
  publisher="VUT v Brně, FEKT",
  address="Brno",
  isbn="978-80-214-3709-8"
}