Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
POKORNÝ, M. RAIDA, Z.
Originální název
Semiconductor devices simulation using drift diffusion scheme
Typ
článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus
Jazyk
angličtina
Originální abstrakt
The paper deals with the numerical modeling of the semiconductor devices. The drift-diffusion macro model of the free carriers transport is discussed and combined with the Poisson equation to evaluation of device features. The thermal phenomenon is considered in correct physical model of the power components. The basic semiconductor equations are summarized, and modeling issues are discussed. The demonstrative simulation of the Gunn diode is performed in COMSOL Multiphysics computation environment using finite element method.
Klíčová slova
Gunn effect, FEM, COMSOL, drift-diffusion scheme, multi-physical model.
Autoři
POKORNÝ, M.; RAIDA, Z.
Rok RIV
2008
Vydáno
25. 8. 2008
Nakladatel
VUT v Brně, FEKT
Místo
Brno
ISBN
978-80-214-3709-8
Kniha
Sborník příspěvků konference ZVŮLE 2008
Strany od
200
Strany do
203
Strany počet
4
BibTex
@inproceedings{BUT27691, author="Michal {Pokorný} and Zbyněk {Raida}", title="Semiconductor devices simulation using drift diffusion scheme", booktitle="Sborník příspěvků konference ZVŮLE 2008", year="2008", pages="200--203", publisher="VUT v Brně, FEKT", address="Brno", isbn="978-80-214-3709-8" }