Detail publikace

ToF-LEIS Analysis of ultra thin films: Ga and Ga-N layer growth on Si(111)

KOLÍBAL, M. PRŮŠA, S. BÁBOR, P. ŠIKOLA, T.

Originální název

ToF-LEIS Analysis of ultra thin films: Ga and Ga-N layer growth on Si(111)

Typ

článek v časopise - ostatní, Jost

Jazyk

angličtina

Originální abstrakt

Paper deals with a ToF-LEIS Analysis of ultra thin films, Ga and Ga-N layer growth on Si(111)

Klíčová slova v angličtině

ToF, LEIS, Ga, GaN, silicon

Autoři

KOLÍBAL, M.; PRŮŠA, S.; BÁBOR, P.; ŠIKOLA, T.

Rok RIV

2004

Vydáno

1. 1. 2004

ISSN

0039-6028

Periodikum

Surface Science

Ročník

566-568

Číslo

9

Stát

Nizozemsko

Strany od

885

Strany do

889

Strany počet

5

BibTex

@article{BUT42358,
  author="Miroslav {Kolíbal} and Stanislav {Průša} and Petr {Bábor} and Tomáš {Šikola}",
  title="ToF-LEIS Analysis of ultra thin films: Ga and Ga-N layer growth on Si(111)",
  journal="Surface Science",
  year="2004",
  volume="566-568",
  number="9",
  pages="5",
  issn="0039-6028"
}