Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
CHOBOLA, Z. LUŇÁK, M. VANĚK, J. HULICIUS, E.
Originální název
Noise as characterization for GaSb-based laser diodes prepared by molecular beam epitaxy
Typ
článek v časopise - ostatní, Jost
Jazyk
angličtina
Originální abstrakt
A non-destructive method of relialiblity prediction for PN junction microelectronic devices is presented. Transport and noise characteristic of forward biased semiconductor lasers diodes GaSb based VCSE(Vertical Cavity Surface Emittint) lasers were prepared by Molecular Beam Epitaxy were measured in order to evaluate the new MBE technology.
Klíčová slova
Noise, GaSb, Laser
Autoři
CHOBOLA, Z.; LUŇÁK, M.; VANĚK, J.; HULICIUS, E.
Rok RIV
2010
Vydáno
12. 4. 2010
Nakladatel
SPIE
Místo
Brusel, Belgie
ISSN
0277-786X
Periodikum
Proceedings of SPIE
Ročník
Číslo
7720
Stát
Spojené státy americké
Strany od
77202c-1
Strany do
77202c-7
Strany počet
7