Přístupnostní navigace
E-přihláška
Vyhledávání Vyhledat Zavřít
Detail publikace
BENEŠOVÁ, M., TOMÁNEK, P., DOBIS, P., BRÜSTLOVÁ, J.
Originální název
Time-resolved contrast in near-field scanning optical microscopy of semiconductors
Typ
článek ve sborníku ve WoS nebo Scopus
Jazyk
angličtina
Originální abstrakt
The lifetime local measurement of excess carriers in silicon samples are described. The work was performed with the implementation of scanning near-field optical microscopy (SNOM). We present here an alternative development of SNOM: its implementation as an imaging tool to study the dynamics of excess carriers in semiconductor devices. We concentrate on obtaining images for which the contrast mechanism is a time-dependent property of the sample, and attempt to relate them to important sample characteristics.
Klíčová slova
near-field optical microscopy, semiconductor, local measurement, contrast, evaluation
Autoři
Rok RIV
2003
Vydáno
15. 12. 2003
Nakladatel
Vysoké učení technické v Brně, Fakulta strojního inženýrství
Místo
Brno
ISBN
80-214-2527-X
Kniha
Proceedings of International conference Nano´03
Strany od
201
Strany do
205
Strany počet
5
BibTex
@inproceedings{BUT8963, author="Markéta {Benešová} and Pavel {Tománek} and Pavel {Dobis} and Jitka {Brüstlová}", title="Time-resolved contrast in near-field scanning optical microscopy of semiconductors", booktitle="Proceedings of International conference Nano´03", year="2003", pages="5", publisher="Vysoké učení technické v Brně, Fakulta strojního inženýrství", address="Brno", isbn="80-214-2527-X" }