Publications

• 2019

  MACH, J.; PIASTEK, J.; MANIŠ, J.; ČALKOVSKÝ, V.; ŠAMOŘIL, T.; FLAJŠMANOVÁ, J.; BARTOŠÍK, M.; VOBORNÝ, S.; KONEČNÝ, M.; ŠIKOLA, T. Low temperature selective growth of GaN single crystals on pre-patterned Si substrates. Applied Surface Science, 2019, vol. 497, no. 143705, p. 1-7. ISSN: 0169-4332.
  Detail | WWW

• 2014

  MACH, J.; ŠAMOŘIL, T.; KOLÍBAL, M.; ZLÁMAL, J.; VOBORNÝ, S.; BARTOŠÍK, M.; ŠIKOLA, T. Optimization of ion-atomic beam source for deposition of GaN ultrathin films. Review of Scientific Instruments, 2014, vol. 85, no. 8, p. 083302-1 (083302-5 p.)ISSN: 0034-6748.
  Detail

• 2011

  MACH, J.; ŠAMOŘIL, T.; VOBORNÝ, S.; KOLÍBAL, M.; ZLÁMAL, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; ŠIKOLA, T. An ultra-low energy (30–200 eV) ion-atomic beam source for ion-beam- assisted deposition in ultrahigh vacuum. Review of Scientific Instruments, 2011, vol. 82, no. 8, p. 083302- 1 (083302-7 p.)ISSN: 0034- 6748.
  Detail

• 2007

  ČECHAL, J.; MACH, J.; VOBORNÝ, S.; KOSTELNÍK, P.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. A study of Ga layers on Si(100)-(2x1) by SR-PES: influence of adsorbed water. Surface Science, 2007, vol. 601, no. 9, p. 2047-2053. ISSN: 0039- 6028.
  Detail

• 2005

  VOBORNÝ, S.; MACH, J.; POTOČEK, M.; KOSTELNÍK, P.; ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Analysis of GaN Ultrathin Films grown by Direct Ion Beam Deposition. 1. Vienna: 2005. p. 117-117.
  Detail

• 2004

  VOBORNÝ, S.; MACH, J.; ČECHAL, J.; KOSTELNÍK, P.; TOMANEC, O.; BÁBOR, P.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Application of Complex UHV Apparaturus in a Study of Low-tepmerature Gallium- nitride Ultrathin Film Growth. Jemná mechanika a optika, 2004, vol. 9, no. 9, p. 265 ( p.)ISSN: 0447- 6441.
  Detail

  VOBORNÝ, S.; KOLÍBAL, M.; MACH, J.; ČECHAL, J.; BÁBOR, P.; PRŮŠA, S.; SPOUSTA, J.; ŠIKOLA, T. Deposition and in-situ charakterization of ultra- thin films. Thin Solid Films, 2004, vol. 459, no. 1- 2, p. 17 ( p.)ISSN: 0040- 6090.
  Detail

  VOBORNÝ, S., MACH, J., KOLÍBAL, M., ČECHAL, J., BÁBOR, P., POTOČEK, M., ŠIKOLA, T. A study of Early Periods of GaN Ultrathin Film Growth. In New Trends in Pysics. Brno: VUT v Brně, 2004. p. 270 ( p.)ISBN: 80-7355-024- 5.
  Detail

• 2003

  VOBORNÝ, S., KOLÍBAL, M., MACH, J., ČECHAL, J., BÁBOR, P., PRŮŠA, S., SPOUSTA, J., ŠIKOLA, T. Deposition and in situ characterization of ultra- thin films. In EVC' 03 Abstracts. Berlin: EVC, 2003. p. 45 ( p.)
  Detail

• 2001

  URBÁNEK, M., SPOUSTA, J., ŠIKOLA, T., ZLÁMAL, J., CHMELÍK, R., HARNA, Z., JIRUŠE, J., JÁKL, M. In situ plošné monitorování optických parametrů tenkých vrstev. Jemná mechanika a optika, 2001, vol. 46, no. 4, p. 143 ( p.)ISSN: 0447- 6441.
  Detail

  VOBORNÝ, S., ŠIKOLA, T., PRŮŠA, S., ZLÁMAL, J., BÁBOR, P. Diagnostics and optimization of ion source parameters. In Sborník příspěvků konference Nové trendy ve fyzice. Brno: FEI VUT v Brně, 2001. p. 304 ( p.)ISBN: 80-214-1992- X.
  Detail

  PRŮŠA, S., ŠIKOLA, T., SPOUSTA, J., VOBORNÝ, S., BÁBOR, P., JURKOVIČ, P., ČECHAL, J. Application of TOF - LEIS and XPS for Surface Studies. In Materials Structure & Micromechanics of Fracture (MSMF-3). Brno: Vutium, 2001. p. 486 ( p.)ISBN: 80-214-1892- 3.
  Detail

  PRŮŠA, S., ŠIKOLA, T., VOBORNÝ, S., BÁBOR, P. Ion Scattering Spectrosopy - A Tool for Surface Analysis. In Juniormat ' 01 sborník. Brno: Fakulta strojního inženýrství VUT v Brně, 2001. p. 86 ( p.)
  Detail

  VOBORNÝ, S., ZLÁMAL, J., BÁBOR, P. Deposition of Ultrathin Films - Optimalisation of Ion Beam Optics. In Juniormat ' 01 sborník. Brno: Fakulta strojního inženýrství VUT v Brně, 2001. p. 281 ( p.)
  Detail

• 2000

  VOBORNÝ, S., ZLÁMAL, J. Optimalizace plazmatického iontového zdroje pro přímou depozici tenkých vrstev. In II. sborník příspěvků doktorandů, konference u příležitosti 100. výročí založení FSI. Brno: Vutium, 2000. p. 353 ( p.)
  Detail

*) Publications are generated once a 24 hours.