Podstatou projektu bude příprava ultratenkých vrstev GaN a nanostruktur Ga, GaN využitím kombinace iontových a atomárních zdrojů za různých depozičních podmínek (teplota substrátu, rychlost a doba růstu, ...). Přípravě substrátu před depozicemi bude v rámci tvorby uspořádaných nanostruktur Ga a GaN předcházet jeho modifikace pomocí metody FIB. Následně bude studován vliv modifikace substrátu na vlastnosti vzniklých nanostruktur Ga a GaN (elektrické a optické vlastnosti, morfologie povrchu, chemické složení, ...).

FSI-J-10-50

Czech

Šamořil Tomáš, Ing. Mgr., Ph.D. - principal person responsible
Rudolf Miroslav, Ing. - fellow researcher
Šikola Tomáš, prof. RNDr., CSc. - fellow researcher

Institute of Physical Engineering
- responsible department (1.1.1989 - not assigned)
Institute of Physical Engineering
- internal (1.1.2010 - 31.12.2010)
Faculty of Mechanical Engineering
- beneficiary (1.1.2010 - 31.12.2010)

MACH, J.; ŠAMOŘIL, T.; VOBORNÝ, S.; KOLÍBAL, M.; ZLÁMAL, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; ŠIKOLA, T. An ultra-low energy (30–200 eV) ion-atomic beam source for ion-beam-assisted deposition in ultrahigh vacuum. Review of Scientific Instruments, 2011, vol. 82, no. 8, p. 083302-1 (083302-7 p.)ISSN: 0034-6748.
Detail

MACH, J.; ŠIKOLA, T.: Efuzní cela (Ag); Efuzní cela-zdroj atomů o termální energii (Ag). A2/518. URL: http://www.physics.fme.vutbr.cz/. (funkční vzorek)
Detail

Responsibility: Šamořil Tomáš, Ing. Mgr., Ph.D.