Detail projektu

Příprava a studium uspořádaných a neuspořádaných Ga a GaN nanostruktur

Období řešení: 01.01.2010 — 31.12.2010

Zdroje financování

Vysoké učení technické v Brně - Vnitřní projekty VUT

- plně financující (2010-01-01 - 2010-12-31)

O projektu

Podstatou projektu bude příprava ultratenkých vrstev GaN a nanostruktur Ga, GaN využitím kombinace iontových a atomárních zdrojů za různých depozičních podmínek (teplota substrátu, rychlost a doba růstu, ...). Přípravě substrátu před depozicemi bude v rámci tvorby uspořádaných nanostruktur Ga a GaN předcházet jeho modifikace pomocí metody FIB. Následně bude studován vliv modifikace substrátu na vlastnosti vzniklých nanostruktur Ga a GaN (elektrické a optické vlastnosti, morfologie povrchu, chemické složení, ...).

Označení

FSI-J-10-50

Originální jazyk

čeština

Řešitelé

Šamořil Tomáš, Ing. Mgr., Ph.D. - hlavní řešitel
Rudolf Miroslav, Ing. - spoluřešitel
Šikola Tomáš, prof. RNDr., CSc. - spoluřešitel

Útvary

Ústav fyzikálního inženýrství
- interní (01.01.2010 - 31.12.2010)
Fakulta strojního inženýrství
- příjemce (01.01.2010 - 31.12.2010)

Výsledky

MACH, J.; ŠAMOŘIL, T.; VOBORNÝ, S.; KOLÍBAL, M.; ZLÁMAL, J.; SPOUSTA, J.; DITTRICHOVÁ, L.; ŠIKOLA, T. An ultra-low energy (30–200 eV) ion-atomic beam source for ion-beam-assisted deposition in ultrahigh vacuum. Review of Scientific Instruments, 2011, vol. 82, no. 8, p. 083302-1 (083302-7 p.)ISSN: 0034-6748.
Detail

MACH, J.; ŠIKOLA, T.: Efuzní cela (Ag); Efuzní cela-zdroj atomů o termální energii (Ag). A2/518. URL: http://www.physics.fme.vutbr.cz/. (funkční vzorek)
Detail

Odpovědnost: Šamořil Tomáš, Ing. Mgr., Ph.D.