Přístupnostní navigace
E-application
Search Search Close
Project detail
Duration: 01.11.2012 — 31.01.2013
Funding resources
Neveřejný sektor - Přímé kontrakty - smluvní výzkum, neveřejné zdroje- whole funder (2012-11-01 - 2013-01-31)
On the project
VUT FEKT se dohodlo s firmou SCI CLL On Semiconductor na vývoji nedestruktivních metod zjišťování poruch ve speciálních polovodičových součástkách v širokém teplotním rozsahu. Součástí je návrh zařízení umožňující zjišťování a ověření parametrů pro několik vzorků současně.
Description in EnglishVUT FEKT se dohodlo s firmou SCI CLL On Semiconductor na vývoji nedestruktivních metod zjišťování poruch ve speciálních polovodičových součástkách v širokém teplotním rozsahu. Součástí je návrh zařízení umožňující zjišťování a ověření parametrů pro několik vzorků současně.
Keywordsreliability parameter, temperature measurement, defect,localization states, agening
Key words in Englishreliability parameter, temperature measurement, defect,localization states, agening
Mark
2012_HS18257046
Default language
Czech
People responsible
Chvátal Miloš, Ing., Ph.D. - fellow researcherMajzner Jiří, Ing., Ph.D. - fellow researcherGrmela Lubomír, prof. Ing., CSc. - principal person responsible
Units
Centre of Sensor, Information and Communication Systems- beneficiary (2012-11-01 - 2013-01-31)Department of Physics- co-beneficiary (2012-11-01 - 2013-01-31)
Results
GRMELA, L. Souhrnná výzkumná zpráva k HS: Vývoj nedestruktivních metod zjišťování poruch ve speciálních polovodičových součástkách v širokém teplotním rozsahu. Brno: 2012. s. 1-5.Detail