Detail projektu

Vývoj nedestruktivních metod zjišťování poruch ve speciálních polovodičových součástkách v širokém teplotním rozsahu.

Období řešení: 1.11.2012 — 31.1.2013

Zdroje financování

Neveřejný sektor - Přímé kontrakty - smluvní výzkum, neveřejné zdroje

O projektu

VUT FEKT se dohodlo s firmou SCI CLL On Semiconductor na vývoji nedestruktivních metod zjišťování poruch ve speciálních polovodičových součástkách v širokém teplotním rozsahu. Součástí je návrh zařízení umožňující zjišťování a ověření parametrů pro několik vzorků současně.

Popis anglicky
VUT FEKT se dohodlo s firmou SCI CLL On Semiconductor na vývoji nedestruktivních metod zjišťování poruch ve speciálních polovodičových součástkách v širokém teplotním rozsahu. Součástí je návrh zařízení umožňující zjišťování a ověření parametrů pro několik vzorků současně.

Klíčová slova
reliability parameter, temperature measurement, defect,localization states, agening

Klíčová slova anglicky
reliability parameter, temperature measurement, defect,localization states, agening

Označení

2012_HS18257046

Originální jazyk

čeština

Řešitelé

Útvary

Centrum senzorických, informačních a komunikačních systémů
- odpovědné pracoviště (1.1.1989 - nezadáno)
SCI LLC-a wholly owned subsidiary of ON Semiconductor
- objednatel (1.1.1900 - nezadáno)
Ústav fyziky
- spolupříjemce (1.11.2012 - 31.1.2013)
Centrum senzorických, informačních a komunikačních systémů
- příjemce (1.11.2012 - 31.1.2013)

Výsledky

GRMELA, L. Souhrnná výzkumná zpráva k HS: Vývoj nedestruktivních metod zjišťování poruch ve speciálních polovodičových součástkách v širokém teplotním rozsahu. Brno: 2012. s. 1-5.
Detail