Project detail

Electrical measurements and analysis of parameters FET transistors at Cryogenic temperatures

Duration: 1.6.2015 — 30.9.2015

Funding resources

Neveřejný sektor - Přímé kontrakty - smluvní výzkum, neveřejné zdroje

On the project

Analysis impedance and noise characteristics of the MOS structures during cryogenic conditions

Description in Czech
analýza impedančních a šumových charakteristik ve strukturách MOS při kryogenních podmínkách

Keywords
cryogenycs, noise

Key words in Czech
kryogenická a šumová měření

Mark

2015_HS18557082

Default language

English

People responsible

Holcman Vladimír, doc. Ing., Ph.D. - principal person responsible

Units

Department of Physics
- responsible department (6.12.2016 - not assigned)
Department of Physics
- co-beneficiary (1.6.2015 - 30.9.2015)
division-FYZ-SIX
- beneficiary (5.11.2015 - not assigned)

Results

SADOVSKÝ, P.: KJ1; Univerzální komunikační rozhraní. UDT s.r.o., Staňkova 18, 602 00 Brno. URL: http://www.ufyz.feec.vutbr.cz/veda-a-vyzkum/produkty. (funkční vzorek)
Detail

Sustainability. Brno. (workshop studentský)
Detail

Responsibility: Holcman Vladimír, doc. Ing., Ph.D.