Detail projektu
Electrical measurements and analysis of parameters FET transistors at Cryogenic temperatures
Období řešení: 1.6.2015 — 30.9.2015
Zdroje financování
Neveřejný sektor - Přímé kontrakty - smluvní výzkum, neveřejné zdroje
O projektu
Analysis impedance and noise characteristics of the MOS structures during cryogenic conditions
Popis česky
analýza impedančních a šumových charakteristik ve strukturách MOS při kryogenních podmínkách
Klíčová slova
cryogenycs, noise
Klíčová slova česky
kryogenická a šumová měření
Označení
2015_HS18557082
Originální jazyk
angličtina
Řešitelé
Holcman Vladimír, doc. Ing., Ph.D. - hlavní řešitel
Útvary
Ústav fyziky
- odpovědné pracoviště (6.12.2016 - nezadáno)
SCI LLC-a wholly owned subsidiary of ON Semiconductor
- objednatel (31.7.2017 - nezadáno)
Ústav fyziky
- spolupříjemce (1.6.2015 - 30.9.2015)
oddělení-FYZ-SIX
- příjemce (5.11.2015 - nezadáno)
Výsledky
Odpovědnost: Holcman Vladimír, doc. Ing., Ph.D.